产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Dual Common Drain Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 72 QG typ (nC) 15 QGD typ (nC) 6 Package (mm) LGA 3.4x1.5mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 14 ID - package limited (A) 14 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Dual Common Drain Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 72 QG typ (nC) 15 QGD typ (nC) 6 Package (mm) LGA 3.4x1.5mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 14 ID - package limited (A) 14 Logic level Yes
  • 低导通电阻
  • 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
  • 超薄 – 高 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 栅极 ESD 保护
  • 低导通电阻
  • 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
  • 超薄 – 高 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 栅极 ESD 保护

此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置,非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。




此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置,非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。




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