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N 沟道 MOSFET

CSD17585F5

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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 27 IDM - pulsed drain current (max) (A) 34 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.53 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 27 IDM - pulsed drain current (max) (A) 34 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.53 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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设计和开发

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评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
下载
仿真模型

CSD17585F5 TINA-TI Reference Design

SLPM261.TSC (517 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
仿真模型

CSD17585F5 TINA-TI Spice Model

SLPM262.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD17585F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM242A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
封装 引脚数 下载
PICOSTAR (YJK) 3 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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