CSD17585F5
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm x 0.77mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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技术文档
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设计和开发
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评估板
CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块
这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南: PDF
计算工具
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
封装 | 引脚数 | 下载 |
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PICOSTAR (YJK) | 3 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。