产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 33 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 34 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 33 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 34 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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设计和开发

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TI.com 無法提供
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