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产品详细信息

参数

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 63 QGD typ (nC) 11.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 159 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

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描述

这款 40V,1.9mΩ,SON 5mm × 6mmNexFET功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 下载英文版本 2017年 1月 5日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM304A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 视图选项

订购与质量

支持与培训

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