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60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON3x3、9.9mΩ

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60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON3x3、9.9mΩ

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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 15.6 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.9 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 156 QG typ (nC) 11.1 QGD typ (nC) 1.7 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID, package limited (A) 35 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用范围

  • 固态继电器开关
  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 经隔离转换器主级侧开关
  • 电机控制

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描述

这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 60V、8.1mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18543Q3A 60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 下载英文版本 2017年 1月 25日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
应用手册 Improving EMI for free with PCB layout 2017年 11月 13日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$75.00
说明

DRV8873 是一款适用于工业和汽车应用的集成驱动器。该器件具有 10A 峰值电流能力和 4.5V 至 38V 的电压范围，可支持多种应用。

PH/EN 或 PWM 接口允许轻松连接到控制器电路，同时还允许独立的半桥控制，以驱动两个螺线管负载。电流镜接近于流经高侧 FET 的电流，并且不需要感应电阻器。提供了低功耗睡眠模式，以通过关断多个内部电路实现极低的静态电流消耗。借助 nFAULT 引脚上显示的故障状况并通过 SPI 寄存器，针对欠压锁定、电荷泵故障、过流保护、短路保护和过热等情况提供内部保护功能。

特性
  • 集成电流感应
  • 多级电流调节
  • 开路负载检测
  • 4.5V 最小工作电源电压
  • 电荷泵架构
查看详细信息

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM286A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM312.TSC (1207 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型 下载
SLPM313.ZIP (22 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件，按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案，从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数，改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择，或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序，并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗，高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
查看详细信息
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
查看详细信息

参考设计

参考设计 下载
Battery back-up switch, charger and monitor reference design
PMP22125 — 此参考设计实现了对备用电池和充电器的全面监测。它支持在 12Vdc/24Vdc 电源和 12V/24V 铅酸电池间切换，电池恒流充电的电流典型值为 1A，具有适用于电池和输入源的电池维护型浮充和监测电路。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
用于针对电网应用提供瞬态保护且基于平缓钳位 TVS 的参考设计
TIDA-010008 — 该参考设计采用多种方法，使用平缓钳位浪涌保护措施、ESD 器件、电子保险丝或负载开关，来保护交流或直流模拟输入、直流模拟输出、交流或直流二进制输入、带高侧或低侧驱动器的数字输出、LCD 偏置电源、USB (...)
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本 (Rev.B)
参考设计 下载
具有 3 种 IGBT/SiC 偏置电源解决方案的 HEV/EV 牵引逆变器功率级参考设计
TIDA-020014 — This reference design presents a traction inverter single-phase power stage with three 12-V car battery inputs, 4.2-W bias supply solutions for hybrid electric vehicle and electric vehicle (HEV/EV) systems. All bias-supply solutions accept a wide input range of 4.5 V to 42 V DC from a 12-V car (...)
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
参考设计 下载
带有断续保护的高效 3.3V/4A 同步反激式参考设计
PMP21488 — 该反激式参考设计适用于隔离式 15W 低电压轨。它采用 100V 宽输入反激式控制器 LM5020。它使用了同步次级整流器 UCC24610，以实现高效率。它使用简单的分立式电路通过断续保护功能进一步增强了 LM5020。它非常适用于需要高效率和断续保护的低电压隔离式电源。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
适用于机器视觉的 LED 照明控制参考设计
TIDA-01081 — 此 LED 照明控制参考设计展示了如何通过一种独特方法驱动和控制包含多个大功率发光二极管 (LED) 的灯串。此参考设计适用于工业机器视觉系统，也适用于其他工业或汽车照明应用。此设计允许用户对 LED 电流和时序进行编程，从而实现 LED 安全超载以提高亮度。此设计可以自主运行，但也可以通过隔离式接口被触发或产生触发。内部电路块支持宽输入电压范围、可编程输入电流和输入功率控制，并可防止反极性、过压和过热。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
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3W 隔离型三路输出反激式转换器参考设计
PMP20852 — PMP20852 是一种采用 UCC2805 控制器 IC 并具有初级侧调节功能的隔离型反激式转换器参考设计。次级侧有三路独立隔离的输出，每一路输出都使用 LP2951 线性稳压器在三个电源轨的每个电源轨上提供稳定的 16V 输出。此设计接受 10V 至 14V 输入电压（标称值为 12V），并提供三个隔离式 16V 输出轨，其中每个轨都能为负载提供 65mA 连续电流。此设计基于 2 层 PCB（其中每层都有 1 盎司覆铜）。
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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