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VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 247 QG typ (nC) 28 QGD typ (nC) 5.4 QGS typ (nC) 9.8 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 94 ID - package limited (A) 100 Logic level No
VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 247 QG typ (nC) 28 QGD typ (nC) 5.4 QGS typ (nC) 9.8 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 94 ID - package limited (A) 100 Logic level No
TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 80V,7.6mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%

这款 80V,7.6mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%

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* 数据表 CSD19503KCS 80V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 9月 16日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD19503KCS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM099B.ZIP (6 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
封装 引脚数 下载
TO-220 (KCS) 3 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频