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产品详细信息

参数

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 105 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 175 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 800 Id peak (Max) (A) -10 Id max cont (A) -2.5 QG typ (nC) 0.913 QGD typ (nC) 0.153 QGS typ (nC) 0.24 VGSTH typ (V) -0.95 Package (mm) LGA 0.6x1.0 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

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描述

这款 90mΩ,20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD25481F4 20V P 通道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. E) 下载英文版本 (Rev.E) 2018年 2月 26日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
用户指南 CSD1FPCHEVM-890 P-channel FemtoFET MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
用户指南 Design Summary FemtoFET SMT 2016年 7月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$79.00
说明

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

特性
  • 可轻松处理这些基板栅格阵列 (LGA) 封装部件
  • 完整范围的 Vds 和封装尺寸
  • 七个子卡可拆分以创建单板(每个子卡一个 FET)
  • FemtoFET 具有 FET 业内最佳的尺寸*电阻

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM079C.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM238.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(YJC) 3 视图选项

订购与质量

支持与培训

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