主页 电源管理 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET

CSD25481F4

正在供货

采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD25481F4

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

。

.

.

该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

。

.

.
filter 查找其他 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
CSD23382F4 正在供货 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Alternate 12 V versus 20 V, lower resistance, higher leakage
CSD25483F4 正在供货 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Higher resistance, lower 1 ku price
CSD25484F4 正在供货 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 0.2-mm height versus standard 0.36-mm height. Similar resistance.

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 11
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD25481F4 20V P 沟道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 英语版 (Rev.F) PDF | HTML 2022年 4月 12日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 4月 24日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 19日
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 解决芯片级功率 MOSFET 的组装问题 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
技术文章 What type of ESD protection does your MOSFET include? PDF | HTML 2020年 6月 22日
更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD25481F4 TINA-TI Spice Model

SLPM238.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD25481F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM079C.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频