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VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 180 IDM - pulsed drain current (max) (A) 7 QG (typ) (nC) 1.06 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.23 VGS (V) 8 VGSTH (typ) (V) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.1 ID - package limited (A) 2.1 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 180 IDM - pulsed drain current (max) (A) 7 QG (typ) (nC) 1.06 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.23 VGS (V) 8 VGSTH (typ) (V) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.1 ID - package limited (A) 2.1 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 最大高度:0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 最大高度:0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

此 140mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

此 140mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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设计和开发

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评估板

LP87642Q1EVM — 汽车四相单输出功能安全性兼容降压转换器评估模块

LP87642Q1EVM 电路板可用于为汽车和工业应用测试、演示、调试和配置一个或多个 LP8764-Q1 电源管理 IC。板载器件 LP876411E2RQRQ1 具有用于一个高电流多相轨的四相 2.2MHz 配置。此 EVM 电路板可进行堆叠,从而实现多 PMIC 运行测试。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

CSD13381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM196.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD13381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM075B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

TIDA-00792 — 多节 36-48V 电池管理系统参考设计

此参考设计旨在为 12 至 15 节锂离子电池或磷酸铁锂电池提供监控、平衡、主保护和电量监测功能。该板适合安装在用于工业系统的外壳中。此参考设计采用无需进行代码开发的参数,可提供电池保护和电量监测配置,并且配备高侧保护开关,即使在受到保护时也可就电池状态进行以电池组为基准的简单 SMBus 通信。
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参考设计

TIDA-00449 — 10 节电池组的监视、平衡与保护

该参考设计已经过测试,用于对电动工具中包含 10 节串联电池的电池组进行监控、平衡和保护。越来越多的电动工具使用高功率密度、基于锂离子或磷酸铁锂电池的电池组,我们需要防止这些电池组因充电或放电不当而发生爆炸。TIDA-00449 在以高持续电流放电时,也符合电动工具电池组的热要求。
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参考设计

TIDA-01525 — 8 通道、16 位、200mA 电流输出 DAC 参考设计

该参考设计结合采用了小体积、高性能的 8 通道 16 位数模转换器 (DAC) DAC80508 与精密运算放大器,可创建高密度、精确的电流源解决方案。此参考设计的最大输出电流为 200mA,允许最小 PVDD 供电电压,可降低功耗,实现高效率。它还具有电流噪声输出低的特点,这得益于 DAC80508 的低参考电压噪声和 OPA2376 的低电压和电流噪声。
设计指南: PDF
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参考设计

TIDA-01165 — IR 滤波器模拟控制器参考设计

参考设计 TIDA-01165 是一款用于红外滤波器的模拟控制器。该设计的亮点是 DRV8837C 电机驱动器,它用于在模块受高强度阳光照射时打开和关闭红外滤波器。简化的布局适合成本敏感型应用,同时还可创建无需固件的解决方案。
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参考设计

TIDA-00765 — 15kg 范围内实现 1g 分辨率且噪声低于 100nVpp 的前端参考设计

TIDA-00765 是低于 100nVpp 的模拟前端,适用于基于电阻应变仪桥测压元件的重量和振动测量。该器件非常适合于要求高分辨率(因为较大的动态范围)或具有很大的重量偏移的设备。由于面临很高级别的开关电源噪声和快速的温度变化,因此漂移和干扰是苛刻环境中的常见问题。该设计的高度集成性、交流激励和稳健可靠的滤波能够抑制漂移和干扰,从而确保在严苛的环境中实现稳定的性能。
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参考设计

TIDA-00514 — 用于电源多路复用和反向电流阻断功能的负载开关参考设计

对于可由多个电源供电的系统,在电源之间切换时实现无缝转换并非易事,当还需要阻断反向电流流动时尤其如此。该参考设计展示了如何将两个负载开关用作两个电源之间的电源多路复用器并阻断反向电流。
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封装 引脚数 下载
PICOSTAR (YJC) 3 了解详情

订购和质量

包含信息:
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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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