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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.1 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 6.9 Package (mm) D2PAK VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 170 ID, package limited (A) 200 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

TO-263 (KTT) 3 155 mm² 10.16 x 15.24 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

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描述

这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18542KTT 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2017年 5月 11日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM339.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DDPAK/TO-263 (KTT) 3 视图选项

订购与质量

支持与培训

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