可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD18511KCS 正在供货 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 52 QGD typ (nC) 8.4 QGS typ (nC) 10.3 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 212 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 52 QGD typ (nC) 8.4 QGS typ (nC) 10.3 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 212 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比
≤ 1%

这款 2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比
≤ 1%

下载

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 11
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD18502KCS 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2014年 8月 28日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日
技术文章 Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings 2015年 4月 25日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD18502KCS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM044B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP9490 — 220W 同步 4 开关降压-升压转换器

PMP9490 是一种利用了业界一流的同步降压-升压转换器 LM5175 的 225W 四开关降压-升压设计。此设计接受 9.5Vin 至 20Vin 的输入电压,并能够为恒定电压输出应用(例如电压稳定器或功率放大器 SMPS)提供 15V (15A) 的输出,为恒流/恒压电池充电器应用提供 10.8V 至 15V (12.5A) 的输出,并为恒定电流 LED 驱动器应用提供 12.5A 的输出。它是一种使用分立式降压和升压转换器的经济高效型解决方案。输出端的 IC 平均电流调节环路用于进行电池充电性能评测,不需要使用外部电路。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
TO-220 (KCS) 3 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频