MOSFET

为快速开关晶体管提供较低的栅极电荷和电阻

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TI 的 NexFET™ MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率,可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性,并使设计工程师能够缩短产品上市时间。

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FemtoFET™ N 沟道和 P 沟道 MOSFET

N 沟道和 P 沟道 MOSFET

FemtoFET™ N 沟道和 P 沟道 MOSFET 是当今市场上可提供的超小型低导通电阻功率 MOSFET。FemtoFET MOSFET 采用基板栅格阵列 (LGA) 封装,这是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。这些 FemtoFET MOSFET 非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。

应用手册
MOSFET Support and Training Tools (Rev. A)
了解支持功率 MOSFET 设计所需的所有文献和工具。
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技术文章
如何选择 MOSFET – 基本交叉参考
了解交叉参考 MOSFET 的三个基本步骤。
技术文章
如何选择 MOSFET – 负载开关
了解将 MOSFET 用作负载开关时的主要注意事项。 
实现FemtoFET™ MOSFET的特色产品
CSD13380F3 正在供货 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17585F5 正在供货 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD23280F3 正在供货 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

技术资源

视频系列
视频系列
MOSFET 101
该系列提供了选择 MOSFET 并将其用于设计的基本提示和技巧。
技术文章
技术文章
了解 MOSFET 数据表,第 1 部分 - UIS/雪崩额定值
了解如何解读 MOSFET 数据表上的 UIS/雪崩额定值。
技术文章
技术文章
功率 MOSFET 数据表第 1 部分中没有的内容:温度相关性
了解 MOSFET 数据表包含的内容及其不包含的内容(更重要)。

设计和开发资源

Calculation tool
适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
Calculation tool
适用于负载开关应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

与MOSFET相关的参考设计

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