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电源管理

功率 MOSFET

为快速开关晶体管提供较低的栅极电荷和电阻

TI 的 NexFET™ 功率 MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率,可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性,并使设计工程师能够缩短产品上市时间。


N 沟道 MOSFET 晶体管

我们提供具有一流电阻和栅极电荷的强大 N 沟道器件,可实现高频运作和更高的功率密度。


P 沟道 MOSFET 晶体管

我们的 P 沟道器件具有业界一流功率密度和超小型封装,并提供易于驱动的低栅极电荷。


功率级 MOSFET

功率级具有集成驱动器 IC、优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 封装技术消除寄生效应、降低开关损耗并实现尽可能高的效率。


电源块 MOSFET

这些电源块具有优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 封装技术消除寄生效应并实现高效率和开关频率。

我们所有的 MOSFET 技术文章、应用手册、视频和工具旨在帮助您完成整个设计周期中的各个环节。

在设计过程的每个步骤中,我们的工程师都会为您提供快速可靠的技术支持。

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说明
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