TI 的 NexFET™ MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率，可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性，并使设计工程师能够缩短产品上市时间。
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FemtoFET™ N 沟道和 P 沟道 MOSFET
N 沟道和 P 沟道 MOSFET
FemtoFET™ N 沟道和 P 沟道 MOSFET 是当今市场上可提供的超小型低导通电阻功率 MOSFET。FemtoFET MOSFET 采用基板栅格阵列 (LGA) 封装，这是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。这些 FemtoFET MOSFET 非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。
实现FemtoFET™ MOSFET的特色产品
设计和开发资源
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。