功率 MOSFET
为快速开关晶体管提供较低的栅极电荷和电阻
TI 的 NexFET™ 功率 MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率，可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性，并使设计工程师能够缩短产品上市时间。
MOSFET 技术文章
| 标题 | 说明 |
|---|---|
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| FemtoFET™ MOSFET：沙粒般渺小，一切尽在间距 | 了解我们的小型 FemtoFET™ MOSFET 的主要优势。 |
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| MOSFET：如一片胡椒般大小？ | 了解超薄电源块 II 器件如何在使产品变得紧凑的同时降低功耗并减少散热。 |
| 为您的应用选择合适的功率 MOSFET/电源块封装 | 了解 TI MOSFET 和电源块封装中的封装散热能力和功耗。 |
| 功率 MOSFET 数据表第 1 部分中没有的内容：温度相关性 | 了解 MOSFET 数据表包含的内容及其不包含的内容（更重要）。 |
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