我们拥有广泛多样的 DDR 端接器产品系列，可满足您的系统要求，同时还提供基于线性和开关稳压器的解决方案供您选择。DDR VDDQ 和 VTT 器件具有较低的内部基准，以调节低 DDR 内核和终端输出电压。与标准线性和开关稳压器相比，DDR 端接器可以灌入或拉取终端电流，并且具有外部基准输入，可跟踪 VDDQ/2 输入并生成 VTT 终端电压轨。
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技术资源
应用手册
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
了解 DDR 应用中的终端电压 (VTT)。该应用手册比较了无源和有源 VTT 终端的功率损耗和电压偏差。
技术文章
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
阅读更多有关双倍数据速率 (DDR) 存储器如何在许多电子系统中实现高速和高性能（由于此类存储器能够在时钟的上升沿和下降沿进行读写）的信息。
技术文章
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
在这篇技术文章中，我们以我们的新型 TPS54116-Q1 DDR 存储器电源解决方案为例，提供了在尝试以 2MHz 频率运行时的主要注意事项。
设计和开发资源
评估板
TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。
评估板
具有 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51206EVM-745 评估模块（EVM）采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。TPS51206EVM-745 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 规格，并具有超少的外部元件。
评估板
TPS54116-Q1 汽车类 DDR 电源解决方案评估模块
此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时，可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器，旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。
