我们拥有广泛多样的 DDR 端接器产品系列，可满足您的系统要求，同时还提供基于线性和开关稳压器的解决方案供您选择。DDR VDDQ 和 VTT 器件具有较低的内部基准，以调节低 DDR 内核和终端输出电压。与标准线性和开关稳压器相比，DDR 端接器可以灌入或拉取终端电流，并且具有外部基准输入，可跟踪 VDDQ/2 输入并生成 VTT 终端电压轨。
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技术资源
应用手册
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
了解 DDR 应用中的终端电压 (VTT)。该应用手册比较了无源和有源 VTT 终端的功率损耗和电压偏差。
技术文章
提高汽车应用中的 DDR 存储器性能
阅读更多有关双倍数据速率 (DDR) 存储器如何在许多电子系统中实现高速和高性能（由于此类存储器能够在时钟的上升沿和下降沿进行读写）的信息。
技术文章
获得 2MHz 开关频率的四个设计技巧
在这篇技术文章中，我们以我们的新型 TPS54116-Q1 DDR 存储器电源解决方案为例，提供了在尝试以 2MHz 频率运行时的主要注意事项。
设计和开发资源
Evaluation board
TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器
TPS51200EVM 评估板（即 HPA322A）用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器（即 TPS51200）的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器（包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格）提供 10mA 缓冲参考电压。
Evaluation board
具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器
TPS51206EVM-745 评估模块 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是具有VTTREF 缓冲参数输出的输出/吸入双倍数据速率 (DDR) 终止稳压器。专门设计用于低输入电压、低成本、少外部组件数的（空间是主要考虑因素）的系统。TPS51206EVM-745 设计用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器（包括 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 等规格）提供 10-mA 缓冲参考电压。
Evaluation board
TPS54116-Q1 汽车类 DDR 电源解决方案评估模块
此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时，可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器，旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。