从支持 IGBT、GaNFET 和 SiCFET 的全面隔离式半桥低侧栅极驱动器产品系列中进行选择，从而优化您的设计。借助我们的栅极驱动器解决方案、资源和专业技术，您可以更轻松地设计高效、可靠且功率密集的系统。
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新产品
宽带隙技术
高速 GaN 栅极驱动器可实现高功率密度并简化设计，适用于各种拓扑
我们的驱动器整合了快速时序规格、无引线封装和窄脉宽响应，可实现快速 FET 切换。增加了栅极电压调节、可编程死区时间和内部低功耗等特性，可确保高频开关提供尽可能高的效率。
白皮书
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
本文简要介绍了宽带隙材料与我们的高电压产品系列组合会给电源带来哪些优势。
白皮书
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
了解为何栅极驱动器的选择对于实现 GaN 的全部功能至关重要。
可实现高能效、稳健和紧凑系统设计的碳化硅 (SiC) 栅极驱动器
通过我们 SiC 和 IGBT 栅极驱动器的强大驱动电流、高 CMTI 和短传播延迟特性，提高设计效率。我们的 SiC 栅极驱动器通过快速集成短路保护和高浪涌抗扰度帮助您在系统中实现稳健的隔离。使用我们快速、稳健和可靠的驱动器，以更高的 PWM 频率进行 SiC 开关操作，可降低系统尺寸、重量和成本。
应用手册
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
了解并比较用于 SiC MOSFET 的各种短路保护方法。
设计和开发资源
Reference design
适用于输入电压低于 100V 的直流/直流转换器的功率级参考设计
此参考设计基于 UCC27282 120V 半桥 MOSFET 驱动器和 CSD19531 100V 功率 MOSFET，可实现高频功率级设计。凭借高效开关和灵活的 VGS 工作范围，此设计可降低总体栅极驱动和传导损耗，以实现卓越效率。此功率级设计可广泛应用于众多空间受限型应用，例如电信砖型电源模块、光伏逆变器和直流电机驱动器。
Reference design
适用于 200-480VAC 驱动器且具有光模拟输入栅极驱动器的三相逆变器参考设计
此参考设计采用隔离式 IGBT 栅极驱动器以及隔离式电流/电压传感器实现了增强型隔离式三相逆变器子系统。所用的 UCC23513 栅极驱动器采用 6 引脚宽体封装和 LED 光模拟输入，可用作现有光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚替代品。此设计表明，可使用用于驱动光隔离式栅极驱动器的所有现有配置来驱动 UCC23513 输入级。使用 AMC1300B 隔离式放大器和直流链路电压实现基于同相分流电阻器的电机电流感应，使用 AMC1311 隔离式放大器实现 IGBT 模块温度感应。该设计使用 C2000™ LaunchPad™ 来控制逆变器。
Reference design
具有快速瞬态响应功能、效率为 94% 的 480W 薄型 (<17mm) 交流/直流 SMPS 参考设计
TIDA-01495 是一款具有低厚度（17mm 高）、94.1% 的峰值效率、高功率密度、通用输入、24V 直流及 480W 输出的消费级交流/直流电源参考设计。其电路具有基于 UCC28063A 的前端两相交错转换模式功率因数校正 (PFC)，可最大程度地减小 PFC 电感器尺寸并降低 EMI 滤波器要求。UCC256301 混合滞回控制 LLC 控制器可控制 HB-LLC 隔离式直流/直流级并确保快速瞬态响应，从而降低 PFC 储能输出电容器的尺寸。PFC 级具有切相，LLC 级具有先进的突发模式优化功能，这两者有助于在 5% 负载（230V 交流）情况下实现高效率。UCC24612 (...)