栅极驱动器

在任何功率水平为任何应用高效可靠地驱动任何电源开关。

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从支持 IGBT、GaNFET 和 SiCFET 的全面隔离式半桥低侧栅极驱动器产品系列中进行选择,从而优化您的设计。借助我们的栅极驱动器解决方案、资源和专业技术,您可以更轻松地设计高效、可靠且功率密集的系统。

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电机驱动器

我们的电机驱动解决方案能够简化设计,减少布板空间并降低系统成本。 

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UCC27624-Q1 新产品

Automotive 5-A/5-A dual-channel gate driver with 4-V UVLO, 30-V VDD and low prop delay

价格约为 (USD) 1ku | 0.684
UCC21755-Q1 新产品

具有主动保护和隔离式感应功能的汽车类 ±10A 隔离式单通道栅极驱动器

价格约为 (USD) 1ku | 2.86
UCC27284 新产品

具有 5V UVLO 和使能端的 3A、120V 半桥栅极驱动器

价格约为 (USD) 1ku | 0.695
UCC21737-Q1 新产品

适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器

价格约为 (USD) 1ku | 2.443
UCC27624 新产品

具有 4V UVLO、30V VDD 和低传播延迟的 5A/5A 双通道栅极驱动器

价格约为 (USD) 1ku | 0.58
UCC5871-Q1 新产品

具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

价格约为 (USD) 1ku | 4.98

宽带隙技术

高速 GaN 栅极驱动器可实现高功率密度并简化设计,适用于各种拓扑

我们的驱动器整合了快速时序规格、无引线封装和窄脉宽响应,可实现快速 FET 切换。增加了栅极电压调节、可编程死区时间和内部低功耗等特性,可确保高频开关提供尽可能高的效率。

白皮书
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
本文简要介绍了宽带隙材料与我们的高电压产品系列组合会给电源带来哪些优势。
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白皮书
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
本文介绍了汽车光检测和测距(激光雷达)以及自动驾驶系统的解决方案。
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白皮书
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
了解为何栅极驱动器的选择对于实现 GaN 的全部功能至关重要。
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可实现高能效、稳健和紧凑系统设计的碳化硅 (SiC) 栅极驱动器

通过我们 SiC 和 IGBT 栅极驱动器的强大驱动电流、高 CMTI 和短传播延迟特性,提高设计效率。我们的 SiC 栅极驱动器通过快速集成短路保护和高浪涌抗扰度帮助您在系统中实现稳健的隔离。使用我们快速、稳健和可靠的驱动器,以更高的 PWM 频率进行 SiC 开关操作,可降低系统尺寸、重量和成本。

电子书
SiC 栅极驱动器基础知识电子书
了解 IGBT 和 SiC 栅极驱动器某些常见问题的解决方案。 
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白皮书
碳化硅栅极驱动器:电力电子行业的颠覆性技术 (Rev. A)
SiC 必须借助适当的生态系统(即栅极驱动器)才能发挥全部潜力。了解该颠覆性技术及其对电力电子产品的影响。
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应用手册
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
了解并比较用于 SiC MOSFET 的各种短路保护方法。
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技术资源

更多文献资料
更多文献资料
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
该应用手册说明了一种为高速开关应用设计高性能栅极驱动电路的系统性方法。
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资源
资源
栅极驱动器常见问题解答 (FAQ)
此常见问题解答页面有条理地介绍了有关常见栅极驱动器问题和设计挑战的解决方案。
白皮书
白皮书
隔离式栅极驱动器的影响 (Rev. A)
此白皮书说明了隔离式栅极驱动器用于电源开关的优点和要求。
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与栅极驱动器相关的参考设计

使用我们的参考设计选择工具,找到最适合您应用和参数的设计。