从支持 IGBT、GaNFET 和 SiCFET 的全面隔离式半桥低侧栅极驱动器产品系列中进行选择，从而优化您的设计。借助我们的栅极驱动器解决方案、资源和专业技术，您可以更轻松地设计高效、可靠且功率密集的系统。
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新产品
具有反向电流保护功能的汽车类 30V、5A/5A 双通道栅极驱动器
价格约为 (USD) 1ku | 0.602
具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
价格约为 (USD) 1ku | 4.98
宽带隙技术
高速 GaN 栅极驱动器可实现高功率密度并简化设计，适用于各种拓扑
我们的驱动器整合了快速时序规格、无引线封装和窄脉宽响应，可实现快速 FET 切换。增加了栅极电压调节、可编程死区时间和内部低功耗等特性，可确保高频开关提供尽可能高的效率。
白皮书
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
本文简要介绍了宽带隙材料与我们的高电压产品系列组合会给电源带来哪些优势。
白皮书
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
了解为何栅极驱动器的选择对于实现 GaN 的全部功能至关重要。
可实现高能效、稳健和紧凑系统设计的碳化硅 (SiC) 栅极驱动器
通过我们 SiC 和 IGBT 栅极驱动器的强大驱动电流、高 CMTI 和短传播延迟特性，提高设计效率。我们的 SiC 栅极驱动器通过快速集成短路保护和高浪涌抗扰度帮助您在系统中实现稳健的隔离。使用我们快速、稳健和可靠的驱动器，以更高的 PWM 频率进行 SiC 开关操作，可降低系统尺寸、重量和成本。
应用手册
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
了解并比较用于 SiC MOSFET 的各种短路保护方法。