PMP20859

具备平稳过渡的双输入冗余 PoE PD 参考设计

PMP20859

设计文件

概述

此参考设计采用了一个 IEEE802.3bt(草案)以太网供电 (PoE) 用电设备 (PD) 并具有双冗余输入,可以在这两个输入与辅助输入之间平稳过渡。  此设计包含一个 5V/6A 同步反激式转换器,可使用最多三个电源(两个 PoE 电源设备 (PSE) 电源和一个交流/直流壁式适配器辅助电源),以降低系统断电和丢失数据的可能性。

特性
  • 冗余输入:两个 PoE 和一个 48V 适配器
  • 在输入之间切换时能够连续输出
  • 在 5V/6A 输出和 PoE 输入条件下,可实现 84% 的效率
输出电压选项 PMP20859.1
Vin (Min) (V) 42.5
Vin (Max) (V) 57
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 30
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Flyback- Synchronous^POE
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT030.PDF (1112 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRX94.PDF (430 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRX95.PDF (40 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRX96.PDF (417 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRX98.ZIP (1410 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEX3.ZIP (1594 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRX97.PDF (2119 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD18504Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
供电设备

TPS2372具有自动 MPS 和 Autoclass 的 IEEE 802.3bt PoE 高功率 PD 接口

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

LM502013V 至 100V 宽输入电压、电流模式 PWM 升压、反激式、Sepic 控制器

数据表: PDF
并联电压基准

TLV431A精度为 1% 的低电压可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML
监控器和复位 IC

TPS3808具有可编程延迟和手动复位功能的低静态电流监控器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 Dual-Input Redundant PoE PD With Smooth Transition Reference Design 2018年 10月 21日

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