PMP20588

全自主式单端口 2 类 (30W) PoE PSE 参考设计

PMP20588

设计文件

概述

PMP20588 参考设计利用 TPS23861 PSE 控制器来实施单端口 2 类 PoE PSE。其中包含的隔离型反激式转换器使用 LM5022 电流模式 PWM 控制器,可接受 12V 直流/24V 交流输入,并为 PSE 提供 55V 直流/600mA 输出源。它非常适合所有 2 类 (30W) PoE PSE 应用。

特性
  • 完全自主、无需数字接口
  • 12V 直流或 24V 交流输入可提供多种选择
  • 从输入到 PSE 输出的 1500VRMS 隔离
  • 端口运行状态 LED
输出电压选项 PMP20588.1
Vin (Min) (V) 10.8
Vin (Max) (V) 38
Vout (Nom) (V) 55
Iout (Max) (A) .6
Output Power (W) 33
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Flyback- Non Sync^POE

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

Important note

This reference design replaces the now obsolete PMP20981.

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUDC7.PDF (1378 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRRO1.PDF (245 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRRO2.PDF (37 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRRO3.PDF (234 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRRO5.ZIP (959 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDL8.ZIP (539 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDCDL9.ZIP (911 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRRO4.PDF (1304 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19537Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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升压控制器(外部开关)

LM50226V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器

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并联电压基准

TL431可调精密并联稳压器

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电源设备

TPS23861具有自主模式的 2 线对、2 类、4 通道 PoE PSE

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7A4001具有使能功能的 50mA、100V、低 IQ、可调节低压降稳压器

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技术文档

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* 测试报告 PMP20588 Test Results 2017年 6月 29日

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