TIDA-01227

高压步进驱动器参考设计

TIDA-01227

设计文件

概述

TIDA-01227 参考设计是用于双极应用的 15V 至 70V 步进电机控制器。该设计使用德州仪器 (TI) 的 DRV8711 双极步进电机控制器栅极驱动器、CSD19538Q3A 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17483F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET、MSP430G2553 MCU、LM5107 100V/1.4A 峰值半桥栅极驱动器和 LM5017 12V 降压转换器。该设计的重点是展示如何使用 DRV8711 步进电机控制器在高于 60V 的电压下控制步进电机。DRV8711 在 12V 的电压下运行,同时使用附加电路转换为高压控制信号。

特性
  • 15V 至 70V 输入电压范围
  • 2A RMS、3A 峰值输出电流能力
  • 专为使用 Launchpad 和 Boost-DRV8711 软件而设计
  • 板尺寸为 2.3 英寸乘 2.25 英寸
  • 12V、0.6A 板载降压转换器
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCR6A.PDF (5499 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRQE9.PDF (579 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRQF0.PDF (70 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRQF1.PDF (409 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRQF3.ZIP (10748 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDA9.ZIP (1908 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRQF2.PDF (1947 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17483F4采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
半桥驱动器

LM5107具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
隔离式 DC/DC 转换器

LM50177.5V-100V 宽输入电压、600mA 恒定导通时间同步降压稳压器

数据表: PDF

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 设计指南 High-Voltage Stepper Reference Design Using DRV8711 (Rev. A) 2017年 3月 29日

支持与培训

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