DRV8353RH-EVM

DRV8353RH evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver

DRV8353RH-EVM

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概述

DRV8353RH-EVM 是基于 DRV8353RH 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流总线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。该模块通过集成式 0.35A 降压转换器为 MCU 提供 3.3V 电源。该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚,并通过具有特定电阻值的易于配置的硬件接口提供短路、过热、击穿和欠压保护。

特性
  • 9 至 95V 工作电压
  • 15A 连续/20A 峰值 H 桥输出电流
  • 内部降压稳压器
  • 三个单独的内部低侧电流分流放大器
  • 提供 INSTASPIN FOC 固件
无刷直流 (BLDC) 电机驱动器
DRV8350R 具有降压稳压器的 102V(最大值)三相智能栅极驱动器 DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器 DRV8353F 具有 3 个 CSA 的最大 102V 三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器 DRV8353M 具有电流分流放大器和扩展温度范围的最大 102V 三相智能栅极驱动器 DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

 

C2000 实时微控制器
TMS320F28027F 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ 32 位 MCU TMS320F28027F-Q1 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU

 

ESD 和浪涌保护 IC
TPD4S010 适用于 USB 3.0 且具有 5A 8/20us 浪涌额定值的四路 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

 

N 沟道 MOSFET
CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

线性和低压降 (LDO) 稳压器
LP2992 具有使能功能的 250mA、16V、低压降稳压器

开始使用

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评估板

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 三相智能栅极驱动器评估模块

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固件

DRV8353RS/H-EVM Firmware (Rev. A) — SLVC736A.ZIP (7826KB)

评估模块 (EVM) 用 GUI

DRV8353RS/H-EVM GUI (Rev. A) — SLVC737A.ZIP (16700KB)

评估板

DRV8353RX-EVM-GUI-CLOUD — TI 资源管理器上的 DRV8353RX EVM GUI 云开发 - 用实时在线版本或下载版本进行评估(Chrome 或 Firefox)

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设计文件

DRV8353Rx-EVM Design Files (Rev. A) SLVC742A.ZIP (9781 KB)

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 DRV8353Rx-EVM User’s Guide (Rev. A) 2018年 11月 13日
更多文献资料 DRV8353RS/H-EVM Firmware (Rev. A) 2018年 12月 14日
EVM 用户指南 DRV8353Rx-EVM InstaSPIN™ Software Quick Start Guide (Rev. B) 2018年 11月 16日
用户指南 DRV8353Rx-EVM GUI User’s Guide (Rev. B) 2018年 11月 16日

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