MOSFET 功率级
提高系统效率并简化设计
借助 MOSFET 功率级，缩小整体解决方案尺寸、有效提高功率密度、优化效率并增强系统保护。将 TI 的 NexFET™ 功率 MOSFET 级产品与我们的多相控制器相结合，可在您的设计中省去不必要元件、降低开关损耗并提高系统可靠性 – 所有这些均可在超小型封装中实现。
高效率
PowerStack™ 封装技术可消除寄生效应并降低开关损耗，而大型接地引线框架可提供出色的散热性能。
增强型诊断反馈
逐周期精确温度补偿双向电流检测可改善系统监控和温度。此外，故障监控可提高系统可靠性。
高度集成
集成 MOSFET、驱动器和电流检测功能提供完整的开关功能，因此可消除无源元件，进而减小解决方案尺寸并简化 PCB 布局。
精选产品
无缝集成
NexFET™ 电源块与我们的多相降压控制器无缝配合，以更小的解决方案尺寸实现高效设计。
精选技术内容
Power Loss Calculation With CSI Consideration for Synchronous Buck Converters (Rev. A)
同步降压转换器是一种在低电压、高电流应用中广泛使用的拓扑。低功率损耗的高效同步降压转换器对未来的先进微处理器有很大的需求。
技术文章
多相电源博客
精选视频
深入讨论我们的智能功率级的构造以及如何通过封装技术提高电路性能。