TIDA-01292

适用于低频离线 UPS 和逆变器且不带散热器的 650W 功率级参考设计

TIDA-01292

设计文件

概述

此参考设计是一款专为低频(基于变压器)单相 UPS(由 12V 电池供电)设计的 650W 逆变器功率级。此设计凭借采用 SON5x6 封装且具有极低 RDS(on) 和低栅极电荷 (Qg) 的 TI SMD MOSFET,实现小外形尺寸和高效率的解决方案。通过在全桥功率级的每个桥臂上并联使用两个器件,该功率级消除了散热器需求,从而降低了总体系统成本。

特性
  • 专为 100VA 至 850VA 的待机或离线 UPS 设计;可通过并联更多 FET 最高扩展至 1.5kVA
  • 采用 SMD MOSFET 的解决方案提高了 UPS 的可制造性和组装性
  • 无需功耗散热器,因此降低了系统成本并缩短生产时间
  • 经过测试和验证,在采用灯泡负载时的工作功率达 100W 至 650W
  • 典型效率约为 95%,最大效率大于 98.5%
  • 过流、短路、过压和欠压保护

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDRSU2.PDF (439 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRSU3.PDF (103 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRSU4.PDF (238 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRSU6.ZIP (2509 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDV4.ZIP (453 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRSU5.PDF (2041 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17573Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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半桥驱动器

LM5101B具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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并联电压基准

LMV431B0.5%、低电压 (1.24V) 可调节精密并联稳压器

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模拟温度传感器

LMT88具有 -11.77mV/°C 增益的 ±4°C 模拟输出温度传感器

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电流检测放大器模拟输出

INA18126V、双向、350kHz 电流感应放大器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TLV704150mA、24V、超低 IQ、低压降稳压器

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支持与培训

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