PMP21278

适用于工业 PC 的 300W 12V 输出电压 4 开关降压/升压转换器参考设计

PMP21278

设计文件

概述

PMP21278 参考设计是一款 300W 的电源,它采用 LM5176 4 开关降压/升压控制器,适用于工业应用。此设计的工作电压为 9V 至 50V。此设计具有 12V 的输出,并且能够提供 25A 的持续电流。开关频率设为 230kHz。PMP21278 组装在 SV601348A PCB 上。对于该测试报告上采用的所有测试数据,使用三个具有 6.8mF、65V 额定值的电解电容器来减弱输入电源的线路电感。

特性
  • 输入电压为 9V 至 50V,输出电压为 12V (25A)
  • 可实现 97% 的峰值效率
  • 过流、过压和过热保护
  • 高功率密度
输出电压选项 PMP21278.1
Vin (Min) (V) 9
Vin (Max) (V) 50
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 25
Output Power (W) 300
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck Boost- 4 Switch
个人电子产品

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUE39.PDF (1364 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRVC1.PDF (214 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRVC2.PDF (103 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRVC4.ZIP (700 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEF5.ZIP (387 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRVC3.PDF (1436 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17573Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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降压/升压和反相控制器(外部开关)

LM517655V 宽输入电压同步 4 开关降压/升压控制器

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技术文档

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* 测试报告 PMP21278 Test Results 2018年 1月 4日

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