TPS51200EVM

TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51200EVM

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概述

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

特性
  • 输入电压:支持 2.5V 电压轨和 3.3V 电压轨
  • VLDOIN、VDDQ 电压范围:1.2V-2.5V
  • 具有吸入和输出功能的内置瞬态负载开关可模拟吸入/输出瞬态行为,从而帮助评估动态性能。为了方面使用,瞬态载荷级和定时都能通过板载电阻修改,同时也能在电路板上监控电流信息。
    • DDR:+/-1.67A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR2:+/-1.2A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR3:+/-1.0A 吸入/输出瞬态负载
    • LP DDR3:+/-0.8A 吸入/输出瞬态负载
  • 具有启用功能的转换开关 S1
  • 便捷的测试点,用于探测 PGOOD、CLK_IN 和环路响应测试
  • 2 层 PCB,所有组件都位于底部
DDR 存储器电源 IC
TPS51200 具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 TPS51200-EP 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 TPS51200-Q1 汽车类吸入/输出 DDR 终端稳压器 TPS51200A-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器

 

N 沟道 MOSFET
CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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TPS51200EVM — TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
数据表 TPS51200 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.D) PDF | HTML 2020年 6月 1日
证书 TPS51200EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日
数据表 TPS51200 Sink and Source DDR Termination Regulator 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 2016年 11月 30日
EVM 用户指南 Using the TPS51120 2008年 5月 28日

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