TIDA-010009

适用于伺服驱动器且具有紧凑结构和较高效率的 24V 输入辅助电源参考设计

TIDA-010009

设计文件

概述

该参考设计展示了一种生成伺服或交流驱动器所需电源的方法,其中包括模拟和数字 I/O 接口、编码器电源、隔离式收发器和数字处理块。该设计还实现了输入反极性、输出过载和短路保护。

特性
  • 由 24V ±20% 的外部保护性超低电压 (PELV) 电源供电
  • 电源输入端的工业电子保险丝可提供可编程 UV/OV 保护、反极性保护、输出过载保护和 SC 保护
  • 经过优化且具有集成开关的同步降压直流/直流转换器,可实现高于 90% 的效率和紧凑的尺寸
  • 具有集成开关的 PSR 反激式,可为通信和数字 I/O 生成隔离式电压轨
  • 可编程电压输出,支持多种编码器类型
  • 输出电压轨:24VISO、5VISO、±12V、5V、3.3V、2.5V、1.2V,具有小于 ±1% 的负载和线路调解率

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU634.PDF (9152 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRZ25.PDF (479 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRZ26.PDF (208 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRZ27.PDF (298 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRZ29.ZIP (2752 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCFB1.ZIP (4145 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRZ28.PDF (1663 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16301Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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升压转换器(集成开关)

TPS61170采用 2x2mm QFN 封装的 1.2A 开关 38V 高压升压转换器

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定序器

LM3880具有固定延时时间的 3 电压轨简易电源序列发生器

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电子保险丝和热插拔控制器

TPS25200关断时可实现反向电流阻断的 2.5V 至 6.5V、60mΩ、0.085A 至 2.9A 电子保险丝

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电子保险丝和热插拔控制器

TPS2663具有输出功率限制和浪涌保护功能的 4.5V 至 60V、31mΩ、0.6A 至 6A 电子保险丝

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

LP2951-N具有电源正常指示和使能功能的 100mA、30V、低压降稳压器

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降压转换器(集成开关)

LMR33630具有超低 EMI 的 SIMPLE SWITCHER® 3.8V 至 36V、3A 同步降压转换器

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降压转换器(集成开关)

TLV62569采用 SOT23 或 SOT563 封装的 2.5V-5.5V 输入、2A 高效降压转换器

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降压转换器(集成开关)

TPS62125具有可调节启用阈值和磁滞作用的 3V 至 17V、300mA 降压转换器

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降压转换器(集成开关)

TPS62821采用 1.5x2mm QFN 封装且精度为 1% 的 2.4V-5.5V、1A 降压转换器

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隔离式DC / DC控制器和模块

LM5180-Q1具有 100V、1.5A 集成式 MOSFET 的汽车类 65V 输入电压非光电反激式转换器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 适用于伺服驱动器且具有紧凑结构和较高效率的 24V 输入辅助电源参考设计 下载英文版本 2019年 3月 1日

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