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CSD13385F5

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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这个 FemtoFET N 沟道评估模块 (EVM) 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  七个 FemtoFET 支持 12V 至 60V 的 VDS 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

SLPM264.TSC (531 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
仿真模型

CSD13385F5 TINA-TI Spice Model

SLPM263.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM240A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
参考设计

TIDA-010053 — 使用原电池的智能仪表无线模块低功耗选项参考设计

该参考设计展示了三种不同的电源架构，适合具有锂二氧化锰 (LiMnO2) 原电池的智能流量表，以及用于物联网 (IoT) 相关应用的现成商业窄带模块。这三种电源解决方案可与电池供电型智能流量表的电池和系统运行状况监控参考设计硬件结合使用，以提供针对电池寿命的高精度运行状况 (SOH) 计算。常开系统内电流监控可检测射频传输的电流峰值，并且在之后通过可调延迟安排 SOH 测量。  高效电源架构可为适用于物联网相关应用的窄带蜂窝模块供电，具有 BQ35100 电池电量监测计，能够提供实时电池寿命数据，从而实现电池的及时更换。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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