ZHCSGE6A February   2017  – July 2017 CSD17318Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械数据
    1. 7.1 Q2 封装尺寸
      1. 7.1.1 建议 PCB 布局
      2. 7.1.2 推荐的模版布局
    2. 7.2 Q2 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

2 应用

  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 优化负载开关 应用
  • 直流/直流转换器
  • 电池和负载管理 应用

3 说明

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

顶视图
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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 6.0 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 2.5V 20 mΩ
VGS = 4.5V 13.9
VGS = 8V 12.6
VGS(th) 阈值电压 0.9 V

器件信息(1)

器件型号 数量 包装介质 封装 运输
CSD17318Q2 3000 7 英寸卷带 SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装		 卷带封装
CSD17318Q2T 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±10 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 21.5 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 25
持续漏极电流(1) 10
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) 68 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散，TC = 25°C 16
TJ，
TSTG 		工作结温，
储存温度		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲，
ID = 12.4A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 7.7 mJ
  1. RθJA = 55°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 7°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

导通电阻与栅极至源极电压

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栅极电荷

CSD17318Q2 D004_SLPS647_FP.gif