PMP40182

双向电池初始化系统电源板参考设计

PMP40182

设计文件

概述

This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high performance INA225 current sense amplifier. The design was achieved in a compact form factor (40mmX143mmX20mm). 

特性
  • S.R. buck/boost topology for both charge/discharge
  • Extra high efficiency up to 94%
  • High current accuracy 0.1% and good linearity
  • Discrete solution is easy for re-design
  • Interface reserved for MCU control and measurement
输出电压选项 PMP40182.1
Vin (Min) (V) 11
Vin (Max) (V) 14
Vout (Nom) (V) 4
Iout (Max) (A) 10
Output Power (W) 40
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Synchronous^Buck- Synchronous

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUD83.PDF (702 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRR26.PDF (305 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRR27.PDF (67 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRR28.PDF (309 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRR30.ZIP (26 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDG8.ZIP (412 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRR29.PDF (1584 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16570Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD18502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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PWM 控制器

TL594具有 UVLO 功能的 40V、0.2A 300KHz PWM 控制器

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串联电压基准

REF50202.048V、3µVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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半桥驱动器

LM5106具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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模拟开关和多路复用器

TS5A3159A具有断电保护功能的 1Ω、5V、2:1 (SPDT)、单通道通用模拟开关

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比较器

TL331高压单路差分比较器

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电子保险丝和热插拔控制器

LM50605.5V 至 65V 高侧保护控制器

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电流检测放大器模拟输出

INA225具有四个引脚可选增益设置的 36V 双向电流感应放大器

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

OPA1800.1μV/°C 温漂、低噪声、轨到轨输出、36V、零漂移运算放大器

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

OPA2180漂移为 0.1μV/°C、低噪声、轨到轨输出、36V、零漂移运算放大器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP40182 Test Results 2017年 5月 30日

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