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MSP430FR5734

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具有 8KB FRAM、1KB SRAM、10 位 ADC、比较器、UART/SPI/I2C 和计时器的 24MHz MCU

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MSP430FR5734

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CPU MSP430 Frequency (MHz) 24 Flash memory (kByte) 8 RAM (kByte) 1 ADC type 10-bit SAR Features DMA, Real-time clock UART 1 Number of ADC channels 8 SPI 2 USB No Hardware accelerators 0 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Communication interface I2C, SPI, UART Operating system BareMetal (No OS), TI RTOS Nonvolatile memory (kByte) 8 Number of GPIOs 21 Number of I2Cs 1 Security Secure debug, Secure storage
CPU MSP430 Frequency (MHz) 24 Flash memory (kByte) 8 RAM (kByte) 1 ADC type 10-bit SAR Features DMA, Real-time clock UART 1 Number of ADC channels 8 SPI 2 USB No Hardware accelerators 0 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Communication interface I2C, SPI, UART Operating system BareMetal (No OS), TI RTOS Nonvolatile memory (kByte) 8 Number of GPIOs 21 Number of I2Cs 1 Security Secure debug, Secure storage
TSSOP (PW) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • 嵌入式微控制器
    • 高达 24MHz 时钟频率的 16 位精简指令集计算机 (RISC) 架构
    • 宽电源电压范围（2V 至 3.6V）
    • -40°C 至 85°C 运行
  • 经优化超低功率模式
    • 激活模式：81.4µA/MHz（典型值）
    • 待机（具有 VLO 的 LPM3）：6.3µA（典型值）
    • 实时时钟 (RTC)（LPM3.5，采用晶振）：1.5µA（典型值）
    • 关断 (LPM4.5)：0.32µA（典型值）
  • 超低功率铁电 RAM (FRAM)
    • 高达 16KB 的非易失性存储器
    • 超低功率写入
    • 125ns 每个字的快速写入（1ms 内写入 16KB）
    • 内置纠错编码 (ECC) 和存储器保护单元 (MPU)
    • 通用内存 = 程序 + 数据 + 存储
    • 1015 写入周期持耐久性
    • 抗辐射和非磁性
  • 智能数字外设
    • 32 位硬件乘法器 (MPY)
    • 3 通道内部直接存储器访问 (DMA)
    • 具有日历和报警功能的实时时钟 (RTC)
    • 5 个具有多达 3 个捕捉/比较寄存器的 16 位定时器
    • 16 位循环冗余校验器 (CRC)
  • 高性能模拟
    • 支持电压基准和可编程滞后的 16 通道模拟比较器
    • 具有内部基准、采样与保持功能的 12 通道 10 位模数转换器 (ADC)
      • 在流耗为 100µA 时为 200ksps
  • 增强型串行通信
    • eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持：
      • 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
      • IrDA 编码和解码
      • 串行外设接口 (SPI)
    • eUSCI_B0 支持：
      • 支持多从器件寻址的 I2C
      • 串行外设接口 (SPI)
    • 硬件通用异步收发器 (UART) 引导加载程序 (BSL)
  • 电源管理系统
    • 完全集成的低压降稳压器 (LDO)
    • 具有复位功能的内核与电源电压监控器
    • 常开模式的零功率欠压检测
    • 串行板上编程，无需外部电压
  • 灵活的时钟系统
    • 具有 6 个可选出厂校准频率的固定频率数控振荡器 (DCO)（视器件而定）
    • 低功率低频内部时钟源 (VLO)
    • 32kHz 晶振 (LFXT)
    • 高频晶振 (HFXT)
  • 开发工具和软件
  • 系列产品成员
  • 嵌入式微控制器
    • 高达 24MHz 时钟频率的 16 位精简指令集计算机 (RISC) 架构
    • 宽电源电压范围（2V 至 3.6V）
    • -40°C 至 85°C 运行
  • 经优化超低功率模式
    • 激活模式：81.4µA/MHz（典型值）
    • 待机（具有 VLO 的 LPM3）：6.3µA（典型值）
    • 实时时钟 (RTC)（LPM3.5，采用晶振）：1.5µA（典型值）
    • 关断 (LPM4.5)：0.32µA（典型值）
  • 超低功率铁电 RAM (FRAM)
    • 高达 16KB 的非易失性存储器
    • 超低功率写入
    • 125ns 每个字的快速写入（1ms 内写入 16KB）
    • 内置纠错编码 (ECC) 和存储器保护单元 (MPU)
    • 通用内存 = 程序 + 数据 + 存储
    • 1015 写入周期持耐久性
    • 抗辐射和非磁性
  • 智能数字外设
    • 32 位硬件乘法器 (MPY)
    • 3 通道内部直接存储器访问 (DMA)
    • 具有日历和报警功能的实时时钟 (RTC)
    • 5 个具有多达 3 个捕捉/比较寄存器的 16 位定时器
    • 16 位循环冗余校验器 (CRC)
  • 高性能模拟
    • 支持电压基准和可编程滞后的 16 通道模拟比较器
    • 具有内部基准、采样与保持功能的 12 通道 10 位模数转换器 (ADC)
      • 在流耗为 100µA 时为 200ksps
  • 增强型串行通信
    • eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持：
      • 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
      • IrDA 编码和解码
      • 串行外设接口 (SPI)
    • eUSCI_B0 支持：
      • 支持多从器件寻址的 I2C
      • 串行外设接口 (SPI)
    • 硬件通用异步收发器 (UART) 引导加载程序 (BSL)
  • 电源管理系统
    • 完全集成的低压降稳压器 (LDO)
    • 具有复位功能的内核与电源电压监控器
    • 常开模式的零功率欠压检测
    • 串行板上编程，无需外部电压
  • 灵活的时钟系统
    • 具有 6 个可选出厂校准频率的固定频率数控振荡器 (DCO)（视器件而定）
    • 低功率低频内部时钟源 (VLO)
    • 32kHz 晶振 (LFXT)
    • 高频晶振 (HFXT)
  • 开发工具和软件
  • 系列产品成员

德州仪器 (TI) MSP430FR573x 系列超低功耗微控制器包含多个器件，该系列器件具有嵌入式 FRAM 非易失性存储器，超低功率 16 位 MSP430™CPU 以及专用于各种应用的不同 外设。这种架构、FRAM 和外设与 7 种低功耗模式相组合，专为在便携式无线感测应用中延长电池的使用寿命而进行了 优化。FRAM 是全新的非易失性存储器，其完美结合了 SRAM 的速度、灵活性和耐用性与闪存的稳定性和可靠性，并且总功耗更低。外设包括一个 10 位模数转换器 (ADC)，一个具有电压基准生成和滞后功能的 16 通道比较器，3 条支持 I2C，SPI，或 UART 协议的增强型串行通道，一个内部 DMA，一个硬件乘法器，一个实时时钟 (RTC)，5 个 16 位定时器和数字 I/O。

德州仪器 (TI) MSP430FR573x 系列超低功耗微控制器包含多个器件，该系列器件具有嵌入式 FRAM 非易失性存储器，超低功率 16 位 MSP430™CPU 以及专用于各种应用的不同 外设。这种架构、FRAM 和外设与 7 种低功耗模式相组合，专为在便携式无线感测应用中延长电池的使用寿命而进行了 优化。FRAM 是全新的非易失性存储器，其完美结合了 SRAM 的速度、灵活性和耐用性与闪存的稳定性和可靠性，并且总功耗更低。外设包括一个 10 位模数转换器 (ADC)，一个具有电压基准生成和滞后功能的 16 通道比较器，3 条支持 I2C，SPI，或 UART 协议的增强型串行通道，一个内部 DMA，一个硬件乘法器，一个实时时钟 (RTC)，5 个 16 位定时器和数字 I/O。
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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