TIDA-00448

采用增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448

设计文件

概述

TIDA-00448 参考设计是一款具有双极栅极电压的隔离式 IGBT 栅极驱动器,用于驱动需要高达 40A 高峰值栅极电流的高功率 IGBT。TI 可在此范围内扩展的 NexFET 电源块采用同一封装,使单一设计可用于具有不同额定功率的多个驱动平台。该设计采用一个数字隔离器实现增强型隔离,其瞬态浪涌额定值为 8kV 且 CMTI 为 50kV。此设计使用快速瞬态响应比较器,集成了 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关断时间均可配置。该设计可连接来自 3.3V 和 5V MCU 的 PWM,以及故障、复位和 UVLO 反馈。

特性
  • 专为输入电源电压高达 600Vac 的低压驱动器而设计
  • 专为额定电流高达 1000A 且 Qg 高达 10uC 的中等功率 IGBT 模块而设计
  • 双极(+15V 和 -8V)栅极驱动电压
  • 通过常见的 MOSFET 封装,可选择拉电流和灌电流额定值为 25A、32A 和 40A 的器件
  • 可编程 DESAT 和软关断特性
  • 8kV 增强型隔离且 CMTI 大于 50kV/µs
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUAJ2A.PDF (3799 KB)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRGR8.ZIP (126 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRGR7.PDF (99 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRGS0.ZIP (2434 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCAU9.ZIP (419 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRGR9.PDF (122 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDRGR6.PDF (704 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

比较器

TLV32015.5V 高速单路推挽比较器

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电源电压监控器

TPS3700用于过压和欠压监测的高电压 (18V) 窗口电压检测器

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同相缓冲器和驱动器

SN74LVC1G125具有三态输出的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器

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MOSFET

CSD17313Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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数字隔离器

ISO7842高隔离额定值、四通道、2/2、增强型数字隔离器

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MOSFET

CSD87353Q5D采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7A4201具有使能功能的 50mA、28V、低 IQ、可调节低压降稳压器

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交流/直流控制器

TPS51604适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

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技术文档

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* 设计指南 Flexible High-Current IGBT Gate Driver With Digital Isolator Design Guide (Rev. A) 2015-11-17
应用手册 Is Your IGBT Gate-Driver Power Supply Optimized 2015-3-12

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