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CSD23280F3

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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
技术文章 FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch PDF | HTML 2016年 6月 27日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
参考设计

TIDA-01589 — 具有降噪和回声消除功能的高保真、近场双向音频参考设计

人机交互需要声学接口来提供全双工免提通信。在免提模式下，来自扬声器的远端或近端音频信号的一部分耦合到麦克风。此外，在有噪声的环境中，除了有用的近端音频信号之外，麦克风还会捕获环境噪声。捕获的多麦克风音频信号被声学背景噪声以及回声信号破坏，回声信号会显著降低所需信号的可懂度，并限制后续音频处理系统的性能。该参考设计所展示的双麦克风用于实现通过立体声 ADC 进行音频输入、低功耗 DSP 执行降噪、声学回声消除以及其他音频质量增强算法。该设计还采用了 TI 的智能放大器技术，从而通过微型扬声器实现高质量、高 SPL 的音频输出。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01228 — 具有电感式感应功能的低功耗水流测量参考设计

此参考设计展示了适用于此应用的一款高度集成式解决方案，此解决方案采用 CC1350 SimpleLink™ 无线 MCU 和 FemtoFET™ MOSFET 支持的电感式传感技术。此参考设计还为集成无线通信（如无线 M-Bus、Sigfox™ 或专有协议）提供了平台。希望添加自动抄表 (AMR) 功能的水量测量工具供应商面临两个选择，即更换所有的现有计量表，或者安装一个简单的电子附加模块，该模块可准确测量水流流速并以无线方式传输结果。此类附加模块可为消费者提供带有 AMR 功能且经济实惠的解决方案。 
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频