ZHCUAN6E October 2022 – May 2025 MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1116 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
要使用 VREF 生成内部电压基准,用户必须首先使用 PWREN 寄存器中的 ENABLE 控制位来启用模块的寄存器写入访问,然后使用 CTL0 寄存器中的 ENABLE 控制位来启用基准缓冲器。VREF 模块根据来自 PMU 的工厂校准带隙生成电压基准。带隙基准通过同相放大器进行缓冲,以生成两个内部基准电压(1.4V 或 2.5V)之一。通过 CTL0 中的 BUFCONFIG 控制位,一次只能选择一个电压。
启用并稳定后,内部基准可用作板载 ADC 的精确稳定电压基准。更多有关如何利用该基准电压的信息,请参阅“ADC”一章。
VREF 在 CTL1 寄存器中提供了一个 READY 指示位。首次启用 VREF 时,READY 位将保持清零,直到 VREF 启动并稳定,之后 READY 位由硬件置位。如果 VREF 被禁用,READY 位将由硬件清零。如果稍后重新启用 VREF,则 READY 位将不会置位,应用软件必须管理 VREF 启动时间。