ZHCUAN6E October 2022 – May 2025 MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1116 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
不可变的 ROM 引导代码必须在器件引导期间配置并锁存静态写保护方案,然后才能执行闪存中的主应用程序。通过静态写保护机制将闪存扇区配置为受写保护后,除非重新启动,否则在运行时软件无法取消该保护。因此,受静态写保护的扇区可被视为在引导后不可变。这种类型的保护适合用于保护双映像应用程序中的自定义引导加载程序,或者将 ROM 引导代码中的安全信任根扩展到主闪存区域的某个部分,以便使用锁定的公共密钥来启用安全启动管理器。
配置静态写保护方案的方法是对 NONMAIN 闪存区域中的相应位进行编程,这样便可在主应用程序启动前由引导代码读取相应的位。NONMAIN 闪存扇区可以受到静态写保护,从而使系统的静态写保护方案完全永久有效,无法修改。如果 NONMAIN 扇区连同任何其他闪存扇区一起被配置为受静态保护,则所有受静态保护的闪存扇区均可在功能上视为只读存储器,因此无法以任何方式对其进行更新。
器件所有存储体上的所有闪存扇区均可配置静态写保护。编程或擦除静态写保护区域将导致非法地址故障,并且将 STATCMD 中的 FAILILLADDR 位置位。节 1.4提供了关于配置静态写保护以及 NONMAIN 区域其余部分的说明。