ZHCAEO9 November 2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N
某些 FET 针对开关模式应用进行了优化,而其他 FET 更适合静态开关。某些 FET 适用于任一应用类型。首先要做的是查看 FET 数据表。TI FET 数据表第 1 页包含 FET 优化的应用的相关信息。例如,图 3-1 展示了 CSD16570Q5B 数据表,该 FET 针对 ORing 和热插拔应用进行了优化。
图 3-1 CSD16570Q5B 数据表同样,图 3-2 展示了 CSD18541F5 数据表的摘录。该器件针对负载开关和通用开关应用进行了优化。
图 3-2 CSD18541F5 数据表通过进一步深入探究数据表动态特性可知,CSD16570Q5B 不适合开关模式应用,因为电荷比 Qgd/Qgs > 1。当 MOSFET 用作同步降压转换器中的低侧 FET 时,这使得 MOSFET 更容易受到 CdV/dt 引起的导通的影响。同样,CSD18541F5 的电荷比大于 1,但典型的内部串联栅极电阻为 RG = 1200Ω。这限制了开关速度,该 FET 不是开关模式应用的最佳选择。如果对 FET 是否可用于特定应用存在一些疑问,请查看数据表中的应用 部分和动态特性 部分。如果还有其他问题,请联系您的 FET 供应商以获取更多信息。