ZHCAEO9 November   2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2查看数据表限制
  6. 3应用特定 FET
  7. 4栅极驱动电压规格
    1. 4.1 绝对最大 VGS
    2. 4.2 栅源阈值电压 VGS(th)
  8. 5高侧和低侧开关
    1. 5.1 驱动高侧 N 沟道 FET
    2. 5.2 驱动低侧 N 沟道 FET
    3. 5.3 驱动高侧 P 沟道 FET
  9. 6使用栅源电阻器
  10. 7最低 RDS(on) 并不意味着最低功率损耗
  11. 8总结
  12. 9参考资料

4.1 绝对最大 VGS

绝对最大 VGS 额定值可以是单个值，也可以是单独的正值和负值，具体取决于栅极结构。如您的 MOSFET 包含哪种类型的 ESD 保护？技术文章中所述，TI FET 可以具有单端、背对背栅极 ESD 保护或无栅极 ESD 保护。采用单端 ESD 结构的 FET 的绝对最大 VGS 只有一个值。施加极性相反的电压会使栅源 ESD 二极管正向偏置，从而允许电流流入栅极，并将 VGS 钳位在结压降处。可以添加一个外部栅极电阻器，以限制栅极电流并防止损坏 FET。

具有背对背 ESD 保护或无 ESD 保护的器件具有单独的正负绝对最大 VGS 值，这些值可以是对称的（即 ±20V）或非对称的（即 -12V/+16V）。切勿在 VGS 超过绝对最大规格的情况下运行 FET，否则 FET 可能会损坏。

表 4-1、表 4-2 和表 4-3 展示了以下 TI N 沟道 MOSFET 的绝对最大额定值示例：

表 4-1 CSD17581Q5A 绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 60 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 123
持续漏极电流 24
IDM 脉冲漏极电流 256 A
PD 功率耗散 3.1 W
功率耗散，TC = 25°C 83
TJ、
Tstg		 工作结温和贮存温度 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 39A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 76 mJ
表 4-2 CSD17381F4 绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另有说明 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 12 V
ID 持续漏极电流，TA = 25°C 3.1 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 12 A
IG 持续栅极钳位电流 35 mA
脉冲栅极钳位电流 350
PD 功率耗散 500 mW
ESD 等级 人体放电模型 (HBM) 4 kV
组件充电模式 (CDM) 2 kV
TJ、
Tstg		 运行结温和储存温度范围 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲 ID = 7.4A，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		 2.7 mJ
表 4-3 CSD16415Q5 绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 25 V
VGS 栅源电压 -12 至 16 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 261
持续漏极电流 38
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 200 A
PD 功率耗散 3.2 W
功率耗散，TC = 25°C 156
TJ，
Tstg		 工作结温和贮存温度 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 500 mJ