ZHCAEO9 November   2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2查看数据表限制
  6. 3应用特定 FET
  7. 4栅极驱动电压规格
    1. 4.1 绝对最大 VGS
    2. 4.2 栅源阈值电压 VGS(th)
  8. 5高侧和低侧开关
    1. 5.1 驱动高侧 N 沟道 FET
    2. 5.2 驱动低侧 N 沟道 FET
    3. 5.3 驱动高侧 P 沟道 FET
  9. 6使用栅源电阻器
  10. 7最低 RDS(on) 并不意味着最低功率损耗
  11. 8总结
  12. 9参考资料

4.2 栅源阈值电压 VGS(th)

在 TI FET 数据表中，栅源阈值电压 VGS(th) 是在 ID = 250µA 时指定的。此时，FET 刚刚开始传导电流、低于最小 VGS，其中 RDS(on) 在数据表中指定。例如，如表 4-4 所示，CSD18541F5 60V N 沟道 FET 的 VGS(th) = 1.75V，但最小 VGS = 4.5V，其中 RDS(on) 在数据表中指定。

表 4-4 CSD18541F5 电气特性 TA = 25°C（除非另外注明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
BVDSS 漏源电压 VGS = 0V，IDS = 250μA 60 V
IDSS 漏源漏电流 VGS = 0V，VDS = 48V 1 µA
IGSS 栅源漏电流 VDS = 0V，VGS = 20V 10 µA
VGS(th) 栅源阈值电压 VDS = VGSIDS = 250μA 1.4 1.75 2.2 V
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V，IDS = 1A 57 75 mΩ
VGS = 10V，IDS = 1A 54 65
gfs 跨导 VDS = 6V，IDS = 1A 7.7 S
动态特性
Ciss 输入电容 VGS = 0V，VDS = 30V，
ƒ = 1MHz		 598 777 pF
Coss 输出电容 47 61 pF
Crss 反向传输电容 8.1 10.5 pF
RG 串联栅极电阻 1200 1600 Ω
Qg 栅极电荷总量 (10V) VDS = 30V，IDS = 1A 11 14 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.6 nC
Qgs 栅极电荷（栅漏极） 1.5 nC
Qg(th) Vth 下的栅极电荷 0.8 nC
Qoss 输出电荷 VDS = 30V，VGS = 0V 3.2 nC
td(on) 导通延迟时间 VDS = 30V，VGS = 4.5V，
IDS = 1A，RG = 0Ω		 572 ns
tr 上升时间 540 ns
td(off) 关断延迟时间 1076 ns
tf 下降时间 496 ns
二极管特性
VSD 二极管正向电压 ISD = 1A，VGS = 0V 0.8 1 V

一个常见的错误是假定只要 VGS ≥ VGS(th)，FET 就会导通并在应用中按预期运行。但情况并非总是如此。为确保 RDS(on) 满足数据表限制，VGS 必须始终大于或等于最小值，其中 RDS(on) 在数据表中指定。这种情况经常被忽略，并且会导致应用出现意外的问题。使用 CSD18541F5 的客户必须更改设计，因为应用使用的是 VGS = 3.3V，而不是 VGS = 4.5V。如图 4-1 所示，当在 VGS < 4.5V 的情况下运行 CSD18541F5 时，曲线的斜率几乎是垂直的，VGS(th) 的微小变化会导致 RDS(on) 发生指数级变化。

CSD18541F5 RDS(on) 与 VGS 间的关系图 4-1 CSD18541F5 RDS(on) 与 VGS 间的关系