ZHCAEO9 November   2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2查看数据表限制
  6. 3应用特定 FET
  7. 4栅极驱动电压规格
    1. 4.1 绝对最大 VGS
    2. 4.2 栅源阈值电压 VGS(th)
  8. 5高侧和低侧开关
    1. 5.1 驱动高侧 N 沟道 FET
    2. 5.2 驱动低侧 N 沟道 FET
    3. 5.3 驱动高侧 P 沟道 FET
  9. 6使用栅源电阻器
  10. 7最低 RDS(on) 并不意味着最低功率损耗
  11. 8总结
  12. 9参考资料

7 最低 RDS(on) 并不意味着最低功率损耗

具有最低 RDS(on) 的 MOSFET 是否会产生最低的功率损耗？这取决于应用和 FET 的使用方式。导通损耗或 I2R 损耗与 RDS(on) 成正比，对于热插拔、负载开关和 OR-ing 等应用（其中 FET 不会在几十或几百 kHz 的频率下开关），具有最低导通电阻的器件会产生最低的功率损耗。

在直流/直流转换器等开关模式应用中，开关损耗可能在总 MOSFET 功率损耗中的占比很大。RDS(on) 是 FET 芯片尺寸的函数，在给定的 MOSFET 工艺技术和电压额定值下，较大的芯片会产生较低的 RDS(on)。较大的芯片还具有较高的电荷和电容，从而使开关损耗增加。为开关模式应用选择 FET 时，必须在导通损耗和开关损耗之间实现平衡，从而将 FET 的总体功率损耗降至最低。

TI 针对各种考虑到这一点的应用发布了大量基于 Excel 的 FET 选择工具。例如，利用同步降压 FET 选择工具，用户可以输入要求并根据功率损耗、封装和 1ku 价格比较多达三种不同的 TI FET 设计。