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产品详细信息

参数

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 27 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 39 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 81 Id peak (Max) (A) -24 Id max cont (A) -3.9 QG typ (nC) 2.9 QGD typ (nC) 0.4 QGS typ (nC) 0.7 VGSTH typ (V) -0.8 Package (mm) WLP 1.5x1.5 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YZF) 9 3 mm² 1.5 x 1.5 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

特性

  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
    • 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载和输入开关

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描述

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145,7420247,7235845 和 6600182。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2015年 2月 4日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 Wireless power during the zombie apocalypse 2016年 10月 28日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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设计工具和仿真

计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗

参考设计

参考设计 下载
用于蓝牙低能耗 (BLE) 指引子系统的室内灯光能源采集参考设计
TIDA-00100 适用于蓝牙低功耗 (BLE) 信标子系统的室内光线能量收集参考设计提供的一种解决方案只需借助零售环境普通室内照明的能量(大于 250 LUX)就能使蓝牙低功耗芯片广播 BLE 信标。

此子系统参考设计与现有解决方案之间有高度差异,这种设计不含电池,因此免去了电池更换、电池充电的麻烦,并且节省了与电池维护相关的成本。此解决方案还确保了不存在与安装相关的限制,只要存在普通室内照明即可。此外,也没有 ON/OFF 开关;整个负载连接和断开均由电源管理 IC 处理,因此确保了此解决方案具有自我管理能力。

document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本 (Rev.A)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YZF) 9 视图选项

订购与质量

支持与培训

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