产品详情

Number of outputs 2 Additive RMS jitter (typ) (fs) 19.2 Core supply voltage (V) 1.8, 2.5, 3.3 Output supply voltage (V) 1.8, 2.5, 3.3 Output skew (ps) 25 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Output type LVCMOS Input type LVCMOS
Number of outputs 2 Additive RMS jitter (typ) (fs) 19.2 Core supply voltage (V) 1.8, 2.5, 3.3 Output supply voltage (V) 1.8, 2.5, 3.3 Output skew (ps) 25 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Output type LVCMOS Input type LVCMOS
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4 WSON (DQF) 8 4 mm² 2 x 2
  • 高性能 1:2、1:3 或 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器
  • 输出偏斜极低,< 50ps
  • 附加抖动极低,最大值 < 50fs
    • VDD = 3.3V 时,典型值为 7.5fs
    • VDD = 2.5V 时,典型值为 10fs
    • VDD = 1.8V 时,典型值为 19.2fs
  • 传播延迟极低,< 3ns
  • 同步输出使能
  • 电源电压:3.3V、2.5V 或 1.8V
    • 在所有的电源电压下3.3V的容差输入
    • 失效防护输入
  • fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MHz(2.5V 和 1.8V)
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 采用 8 引脚 TSSOP 封装
  • 采用 8 引脚 WSON 封装
  • 高性能 1:2、1:3 或 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器
  • 输出偏斜极低,< 50ps
  • 附加抖动极低,最大值 < 50fs
    • VDD = 3.3V 时,典型值为 7.5fs
    • VDD = 2.5V 时,典型值为 10fs
    • VDD = 1.8V 时,典型值为 19.2fs
  • 传播延迟极低,< 3ns
  • 同步输出使能
  • 电源电压:3.3V、2.5V 或 1.8V
    • 在所有的电源电压下3.3V的容差输入
    • 失效防护输入
  • fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MHz(2.5V 和 1.8V)
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 采用 8 引脚 TSSOP 封装
  • 采用 8 引脚 WSON 封装

LMK1C110x 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。提供三个不同的扇出选项:1:2、1:3、1:4。

该系列所有器件均互相引脚兼容,并向后兼容 CDCLVC110x 系列,便于操作。

该系列所有器件均具有相同的高性能特性,如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。

LMK1C110x 具有同步输出使能控制端 (1G),可在 1G 处于低电平时将输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入,可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。

LMK1C110x 系列可在 1.8V、2.5V 和 3.3V 电压下工作,其特点是可在 –40°C 至 125°C的范围内运行。

LMK1C110x 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。提供三个不同的扇出选项:1:2、1:3、1:4。

该系列所有器件均互相引脚兼容,并向后兼容 CDCLVC110x 系列,便于操作。

该系列所有器件均具有相同的高性能特性,如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。

LMK1C110x 具有同步输出使能控制端 (1G),可在 1G 处于低电平时将输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入,可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。

LMK1C110x 系列可在 1.8V、2.5V 和 3.3V 电压下工作,其特点是可在 –40°C 至 125°C的范围内运行。

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* 数据表 LMK1C110x 1.8V、2.5V 和 3.3V LVCMOS 时钟缓冲器系列 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 4月 11日
应用手册 使用时钟缓冲器进行正弦波-方波转换 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 9月 4日
应用手册 LMK1C110x Key Performance in System Level (Rev. A) 2020年 3月 10日

设计与开发

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评估板

LMK1C1104DFNEVM — LMK1C1104 低抖动 1:4 LVCMOS 风扇输出缓冲器 DFN 评估模块

LMK1C1104DQF 是一款具有一个 LVCMOS 输入、四个 LVCMOS 输出和一个全局输出使能引脚的高性能、低附加抖动 LVCMOS 时钟缓冲器。该评估模块 (EVM) 旨在演示 LMK1C1104DQF 的电气性能。为了实现出色性能,LMK1C1104DFNEVM 配备了 50Ω SMA 连接器和阻抗控制 50Ω 微带传输线。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

LMK1C1104EVM — LMK1C1104 低抖动 1:4 LVCMOS 风扇输出缓冲器评估模块

LMK1C1104 是一款具有一个 LVCMOS 输入、四个 LVCMOS 输出和一个全局输出使能引脚的高性能、低附加抖动 LVCMOS 时钟缓冲器。此评估模块 (EVM) 旨在演示 LMK1C1104 的电气性能,但此 EVM 也可用于评估 LMK1C1102 或 LMK1C1103。为了实现出色性能,LMK1C1104EVM 配备了 50Ω SMA 连接器和阻抗控制 50Ω 微带传输线。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

LMK1C1108EVM — LMK1C1108 低抖动 1:8 LVCMOS 风扇输出缓冲器评估模块

LMK1C1108 是一款具有一个 LVCMOS 输入、八个 LVCMOS 输出和一个全局输出使能引脚的高性能、低附加抖动 LVCMOS 时钟缓冲器。该评估模块 (EVM) 旨在演示 LMK1C1108 的电气性能。该 EVM 还可用于评估 LMK1C110x 系列中的其他器件。为了实现出色性能,LMK1C1108EVM 配备了 50Ω SMA 连接器和阻抗控制 50Ω 微带传输线。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
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CAD/CAE 符号

LMK1C1104EVM Altium Database

SNAR039.ZIP (498 KB)
设计工具

CLOCK-TREE-ARCHITECT — 时钟树架构编程软件

时钟树架构是一款时钟树综合工具,可根据您的系统要求生成时钟树解决方案,从而帮助您简化设计流程。该工具从庞大的时钟产品数据库中提取数据,然后生成系统级多芯片时钟解决方案。
设计工具

PLLATINUMSIM-SW PLL loop filter, phase noise, lock time, and spur simulation tool

PLLATINUMSIM-SW is a simulation tool that allows users to create detailed designs and simulations of our PLLatinum™ integrated circuits, which include the LMX series of phase-locked loops (PLLs) and synthesizers.

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
WSON (DQF) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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