ZHCSCN6C JANUARY 2014 – October 2018 TPS40425
PRODUCTION DATA.
如 Figure 15 所示,选择了非智能功率操作并使用外部二极管 (x3904) 的 ΔVbe 测量值进行温度检测。如果使用电感器 DCR 进行电流检测,则必须将外部二极管靠近电感器放置,这样可以通过温度补偿使电流读数更准确。建议在 TSNS 引脚和 AGND 之间放置一个 1nF 电容器,并为晶体管放置另一个 1nF 旁路电容器。建议为 TSNS 信号使用单独的 AGND 迹线。将 TSNS 迹线和 AGND 迹线布线为一个差分对。
对于使用智能功率级进行的温度检测(如Figure 16 所示),选择了智能功率操作进行温度检测。建议为 TPS40425 器件的 TSNS 引脚和智能功率级的 TAO 引脚使用本地旁路电容器。两个旁路电容器的总电容不应超过 1nF。C10 和 C11 的建议值为 470pF。
在所有情况下,温度检测迹线必须放置在安静区域并且尽可能短。
NOTE
当器件在非智能功率模式下运行时,温度检测必须基于外部二极管的 Vbe 测量值。功率级的 TAO 信号不能用于温度传感。
当器件在智能功率模式下运行时,温度检测必须基于功率级的 TAO 信号。