ZHCSCN6C JANUARY 2014 – October 2018 TPS40425
PRODUCTION DATA.
功率级输入去耦电容(VIN 和 PGND 端子处的有效电容)必须足以提供高侧 MOSFET 导通时所需的高开关电流,同时结果提供最小的输入电压纹波。该有效电容包括所有直流偏置产生的影响。输入电容器的额定电压必须大于具有降额的最大输入电压。电容器的纹波电流额定值必须还大于满负载期间器件的最大输入电流纹波。可以使用Equation 21 来估算输入 rms 电流。
Equation 22 和Equation 23 显示了给定输入电压纹波规格 VIN(纹波)的最小输入电容和 ESR 值。输入纹波包含电容部分 VRIPPLE(cap) 和电阻部分 VRIPPLE(esr)。
陶瓷电容值随温度和针对其施加的直流偏置的不同而显著变化。通过选择具有温度稳定性的电介质材料,可以最大程度地降低温度导致的电容变化。电源稳压器的电容通常选用 X5R 和 X7R 陶瓷介电材料,原因是其电容体积比较高并具有极强温度稳定性。
选择输出电容器时还必须考虑直流偏置。该设计要求使用额定电压至少为 25V 的陶瓷电容,以支持最高输入电压。对于该设计,允许 VRIPPLE(cap) 具有 0.1V 的输入纹波,VRIPPLE(esr) 具有 0.2V 的输入纹波。使用Equation 22 和Equation 23,可计算出该设计的最小输入电容为 42.8µF,最大 ESR 为 7.3mΩ。对于该设计示例,为功率级选择了 5 个 22μF、25V 陶瓷电容器和两个额外的 100μF、25V 低 ESR 电解电容器(并联),具有足够的余量。
建议将高频输入电压旁路电容器放置在靠近功率级的位置,以帮助减少振铃。有关输入电容器的更多应用信息,请参阅功率级器件的产品说明书。