ZHCACB3E May 2023 – February 2024 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1 , AM625SIP , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62P , AM62P-Q1
NAND 闪存的高电平有效就绪/低电平有效繁忙 (R/B#) 输出为漏极开路,并连接到 GPMC0_WAIT0 和 GPMC0_WAIT1 信号(取决于配置)。建议提供上拉电阻(建议值为 4.7kΩ)(靠近器件)。