ZHCADF2 December   2023 CSD13201W10 , CSD13302W , CSD13303W1015 , CSD13306W , CSD13380F3 , CSD13381F4 , CSD13383F4 , CSD13385F5 , CSD15380F3 , CSD17381F4 , CSD17382F4 , CSD17483F4 , CSD17484F4 , CSD17585F5 , CSD18541F5 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD22205L , CSD22206W , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23280F3 , CSD23285F5 , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD25304W1015 , CSD25480F3 , CSD25481F4 , CSD25483F4 , CSD25484F4 , CSD25485F5 , CSD25501F3 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD83325L , CSD85302L , CSD86311W1723 , CSD87501L

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1解决芯片级功率 MOSFET 的组装问题
  5. 2Land Grid Array (LGA) MOSFET 封装技术
  6. 3晶圆级芯片级封装技术
  7. 4常见问题
  8. 5优秀实践
  9. 6出现问题时的注意事项
    1. 6.1 倾斜或错位的封装
    2. 6.2 出现焊球、焊接不佳或者无焊接
    3. 6.3 设备有缺口或破裂
  10. 7总结
  11. 8参考资料

Land Grid Array (LGA) MOSFET 封装技术

2013 年,TI 推出了采用 F4 FemtoFET™LGA 封装的 P 和 N 沟道 MOSFET。此后,FemtoFET™ 产品组合又迎来了 F3 和 F5 两种封装,以及大量的新器件。此外,LGA 技术已扩展到包括单 FET 和双 FET,适用于多种需要小尺寸和高性能的应用。图 2-1图 2-2 展示了 F4 和 F5 FemtoFET™ 器件的图示。

GUID-20221005-SS0I-LMGF-FVGT-9XTWBPZKKD4X-low.svg图 2-1 F4 FemtoFET™ 封装
GUID-20221005-SS0I-XQRD-DHM0-PX5VFKFPX9GL-low.gif图 2-2 F5 FemtoFET™ 封装