ZHDU116G January   2018  – June 2024 CC1312PSIP , CC1312R , CC1352P , CC1352R , CC2642R , CC2642R-Q1 , CC2652P , CC2652PSIP , CC2652R , CC2652RB , CC2652RSIP , CC2662R-Q1

 

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  2.   使用前必读
    1.     关于本手册
    2.     器件
    3.     寄存器、字段和位调用
    4.     相关文档
    5. 1.1 商标
  3. 2 结构概述
    1. 2.1 目标应用
    2. 2.2 概述
    3. 2.3 功能概述
      1. 2.3.1  Arm® Cortex®-M4F
        1. 2.3.1.1 处理器内核
        2. 2.3.1.2 系统计时器 (SysTick)
        3. 2.3.1.3 嵌套向量中断控制器 (NVIC)
        4. 2.3.1.4 系统控制块
      2. 2.3.2  片上存储器
        1. 2.3.2.1 SRAM
        2. 2.3.2.2 闪存存储器
        3. 2.3.2.3 ROM
      3. 2.3.3  无线电
      4. 2.3.4  安全内核
      5. 2.3.5  通用计时器
        1. 2.3.5.1 看门狗计时器
        2. 2.3.5.2 常开域
      6. 2.3.6  直接存储器存取
      7. 2.3.7  系统控制和时钟
      8. 2.3.8  串行通信外设
        1. 2.3.8.1 UART
        2. 2.3.8.2 I2C
        3. 2.3.8.3 I2S
        4. 2.3.8.4 SSI
      9. 2.3.9  可编程 I/O
      10. 2.3.10 传感器控制器
      11. 2.3.11 随机数生成器
      12. 2.3.12 cJTAG 及 JTAG
      13. 2.3.13 电源系统
        1. 2.3.13.1 电源系统
          1. 2.3.13.1.1 VDDS
          2. 2.3.13.1.2 VDDR
          3. 2.3.13.1.3 数字内核电源
          4. 2.3.13.1.4 其他内部电源
        2. 2.3.13.2 直流/直流转换器
  4. 3 Arm® Cortex®-M4F 处理器
    1. 3.1 Arm® Cortex®-M4F 处理器简介
    2. 3.2 方框图
    3. 3.3 概述
      1. 3.3.1 系统级接口
      2. 3.3.2 集成可配置调试
      3. 3.3.3 跟踪端口接口单元
      4. 3.3.4 浮点单元 (FPU)
      5. 3.3.5 存储器保护单元 (MPU)
      6. 3.3.6 Arm® Cortex®-M4F 系统组件详情
    4. 3.4 编程模型
      1. 3.4.1 软件执行的处理器模式和特权等级
      2. 3.4.2 栈
      3. 3.4.3 异常和中断
      4. 3.4.4 数据类型
    5. 3.5 Arm® Cortex®-M4F 内核寄存器
      1. 3.5.1 内核寄存器映射
      2. 3.5.2 内核寄存器描述
        1. 3.5.2.1  Cortex® 通用寄存器 0 (R0)
        2. 3.5.2.2  Cortex® 通用寄存器 1 (R1)
        3. 3.5.2.3  Cortex® 通用寄存器 2 (R2)
        4. 3.5.2.4  Cortex® 通用寄存器 3 (R3)
        5. 3.5.2.5  Cortex® 通用寄存器 4 (R4)
        6. 3.5.2.6  Cortex® 通用寄存器 5 (R5)
        7. 3.5.2.7  Cortex® 通用寄存器 6 (R6)
        8. 3.5.2.8  Cortex® 通用寄存器 7 (R7)
        9. 3.5.2.9  Cortex® 通用寄存器 8 (R8)
        10. 3.5.2.10 Cortex® 通用寄存器 9 (R9)
        11. 3.5.2.11 Cortex® 通用寄存器 10 (R10)
        12. 3.5.2.12 Cortex® 通用寄存器 11 (R11)
        13. 3.5.2.13 Cortex® 通用寄存器 12 (R12)
        14. 3.5.2.14 栈指针 (SP)
        15. 3.5.2.15 链接寄存器 (LR)
        16. 3.5.2.16 程序计数器 (PC)
        17. 3.5.2.17 程序状态寄存器 (PSR)
        18. 3.5.2.18 优先级屏蔽寄存器 (PRIMASK)
        19. 3.5.2.19 故障屏蔽寄存器 (FAULTMASK)
        20. 3.5.2.20 基址优先级屏蔽寄存器 (BASEPRI)
        21. 3.5.2.21 控制寄存器 (CONTROL)
    6. 3.6 指令集概要
      1. 3.6.1 Arm® Cortex®-M4F 指令
      2. 3.6.2 加载和存储时序
      3. 3.6.3 与其他 Cortex® 处理器实现二进制兼容
    7. 3.7 浮点单元 (FPU)
      1. 3.7.1 关于 FPU
      2. 3.7.2 FPU 功能说明
        1. 3.7.2.1 FPU 寄存器组的视图
        2. 3.7.2.2 运行模式
          1. 3.7.2.2.1 完全合规模式
          2. 3.7.2.2.2 清零模式
          3. 3.7.2.2.3 默认 NaN 模式
        3. 3.7.2.3 FPU 指令集
        4. 3.7.2.4 符合 IEEE 754 标准
        5. 3.7.2.5 完全实现 IEEE 754 标准
        6. 3.7.2.6 IEEE 754 标准实现选择
          1. 3.7.2.6.1 NaN 处理
          2. 3.7.2.6.2 对比
          3. 3.7.2.6.3 下溢
        7. 3.7.2.7 异常
      3. 3.7.3 FPU 编程器模型
        1. 3.7.3.1 使能 FPU
          1. 3.7.3.1.1 启用 FPU
    8. 3.8 存储器保护单元 (MPU)
      1. 3.8.1 关于 MPU
      2. 3.8.2 MPU 功能说明
      3. 3.8.3 MPU 编程器模型
    9. 3.9 Arm® Cortex®-M4F 处理器寄存器
      1. 3.9.1 CPU_DWT 寄存器
      2. 3.9.2 CPU_FPB 寄存器
      3. 3.9.3 CPU_ITM 寄存器
      4. 3.9.4 CPU_SCS 寄存器
      5. 3.9.5 CPU_TPIU 寄存器
  5. 4 存储器映射
    1. 4.1 存储器映射
  6. 5 Arm® Cortex®-M4F 外设
    1. 5.1 Arm® Cortex®-M4F 外设介绍
    2. 5.2 功能说明
      1. 5.2.1 SysTick
      2. 5.2.2 NVIC
        1. 5.2.2.1 电平敏感中断和脉冲中断
        2. 5.2.2.2 中断的硬件和软件控制
      3. 5.2.3 SCB
      4. 5.2.4 ITM
      5. 5.2.5 FPB
      6. 5.2.6 TPIU
      7. 5.2.7 DWT
  7. 6 中断和事件
    1. 6.1 异常模型
      1. 6.1.1 异常状态
      2. 6.1.2 异常类型
      3. 6.1.3 异常处理程序
      4. 6.1.4 矢量表
      5. 6.1.5 异常优先级
      6. 6.1.6 中断优先级分组
      7. 6.1.7 异常进入和返回
        1. 6.1.7.1 异常进入
        2. 6.1.7.2 异常返回
    2. 6.2 故障处理
      1. 6.2.1 故障类型
      2. 6.2.2 故障升级和硬故障
      3. 6.2.3 故障状态寄存器和故障地址寄存器
      4. 6.2.4 锁定
    3. 6.3 事件结构
      1. 6.3.1 简介
      2. 6.3.2 事件结构概述
        1. 6.3.2.1 寄存器
    4. 6.4 AON 事件结构
      1. 6.4.1 通用输入事件列表
      2. 6.4.2 事件订阅者
        1. 6.4.2.1 唤醒控制器 (WUC)
        2. 6.4.2.2 实时时钟
        3. 6.4.2.3 MCU 事件结构
    5. 6.5 MCU 事件结构
      1. 6.5.1 通用输入事件列表
      2. 6.5.2 事件订阅者
        1. 6.5.2.1 系统 CPU
        2. 6.5.2.2 NMI
        3. 6.5.2.3 冻结
    6. 6.6 AON 事件
    7. 6.7 中断和事件寄存器
      1. 6.7.1 AON_EVENT 寄存器
      2. 6.7.2 EVENT 寄存器
  8. 7 JTAG 接口
    1. 7.1  顶层调试系统
    2. 7.2  cJTAG
      1. 7.2.1 cJTAG 命令
        1. 7.2.1.1 必需命令
      2. 7.2.2 编程序列
        1. 7.2.2.1 打开命令窗口
        2. 7.2.2.2 更改为 4 引脚模式
        3. 7.2.2.3 关闭命令窗口
    3. 7.3  ICEPick
      1. 7.3.1 次级 TAP
        1. 7.3.1.1 从器件 DAP (CPU DAP)
        2. 7.3.1.2 从属 TAP 和 DAP 的排序
      2. 7.3.2 ICEPick 寄存器
        1. 7.3.2.1 IR 指令
        2. 7.3.2.2 数据移位寄存器
        3. 7.3.2.3 指令寄存器
        4. 7.3.2.4 旁路寄存器
        5. 7.3.2.5 器件标识寄存器
        6. 7.3.2.6 用户代码寄存器
        7. 7.3.2.7 ICEPick 标识寄存器
        8. 7.3.2.8 连接寄存器
      3. 7.3.3 路由器扫描链
      4. 7.3.4 TAP 路由寄存器
        1. 7.3.4.1 ICEPick 控制块
          1. 7.3.4.1.1 All0s 寄存器
          2. 7.3.4.1.2 ICEPick 控制寄存器
          3. 7.3.4.1.3 链接模式寄存器
        2. 7.3.4.2 测试 TAP 链接块
          1. 7.3.4.2.1 次级测试 TAP 寄存器
        3. 7.3.4.3 调试 TAP 链接块
          1. 7.3.4.3.1 次级调试 TAP 寄存器
    4. 7.4  ICEMelter
    5. 7.5  串行线查看器 (SWV)
    6. 7.6  引导中暂停 (HIB)
    7. 7.7  调试与关断
    8. 7.8  通过 WUC TAP 支持的调试功能
    9. 7.9  分析器寄存器
    10. 7.10 边界扫描
  9. 8 电源、复位和时钟管理 (PRCM)
    1. 8.1 简介
    2. 8.2 系统 CPU 模式
    3. 8.3 电源系统
      1. 8.3.1 内部 DC/DC 转换器和全局 LDO
    4. 8.4 数字电源分区
      1. 8.4.1 MCU_VD
        1. 8.4.1.1 MCU_VD 电源域
      2. 8.4.2 AON_VD
        1. 8.4.2.1 AON_VD 电源域
    5. 8.5 时钟管理
      1. 8.5.1 系统时钟
        1. 8.5.1.1 控制振荡器
      2. 8.5.2 MCU_VD 中的时钟
        1. 8.5.2.1 时钟门控
        2. 8.5.2.2 定标器到 GPT
        3. 8.5.2.3 WDT 分频器
      3. 8.5.3 AON_VD 中的时钟
    6. 8.6 电源模式
      1. 8.6.1 启动状态
      2. 8.6.2 活动模式
      3. 8.6.3 空闲模式
      4. 8.6.4 待机模式
      5. 8.6.5 关断模式
    7. 8.7 复位
      1. 8.7.1 系统复位
        1. 8.7.1.1 时钟丢失检测
        2. 8.7.1.2 软件启动的系统复位
        3. 8.7.1.3 热复位转换为系统复位
      2. 8.7.2 MCU_VD 电源域及模块的复位
      3. 8.7.3 AON_VD 复位
    8. 8.8 PRCM 寄存器
      1. 8.8.1 DDI_0_OSC 寄存器
      2. 8.8.2 PRCM 寄存器
      3. 8.8.3 AON_PMCTL 寄存器
  10. 9 多功能指令存储器系统 (VIMS)
    1. 9.1 简介
    2. 9.2 VIMS 配置
      1. 9.2.1 VIMS 模式
        1. 9.2.1.1 GPRAM 模式
        2. 9.2.1.2 关闭模式
        3. 9.2.1.3 缓存模式
      2. 9.2.2 VIMS 闪存线路缓冲器
      3. 9.2.3 VIMS 仲裁
      4. 9.2.4 VIMS 高速缓存 TAG 预取
    3. 9.3 VIMS 软件注意事项
      1. 9.3.1 闪存程序或者更新
      2. 9.3.2 VIMS 保持
        1. 9.3.2.1 模式 1
        2. 9.3.2.2 模式 2
        3. 9.3.2.3 模式 3
    4. 9.4 ROM
    5. 9.5 闪存
      1. 9.5.1 闪存保护
      2. 9.5.2 存储器编程
      3. 9.5.3 闪存编程
      4. 9.5.4 电源管理要求
    6. 9.6 ROM 功能
    7. 9.7 VIMS 寄存器
      1. 9.7.1 FLASH 寄存器
      2. 9.7.2 VIMS 寄存器
  11. 10SRAM
    1. 10.1 简介
    2. 10.2 主要特性
    3. 10.3 数据保留
    4. 10.4 奇偶校验和 SRAM 错误支持
    5. 10.5 SRAM 自动初始化
    6. 10.6 奇偶校验调试行为
    7. 10.7 SRAM 寄存器
      1. 10.7.1 SRAM_MMR 寄存器
      2. 10.7.2 SRAM 寄存器
  12. 11引导加载程序
    1. 11.1 引导加载程序功能
      1. 11.1.1 引导加载程序禁用
      2. 11.1.2 引导加载程序后门
    2. 11.2 引导加载程序接口
      1. 11.2.1 数据包处理
        1. 11.2.1.1 数据包确认和非确认字节
      2. 11.2.2 传输层
        1. 11.2.2.1 UART 传输
          1. 11.2.2.1.1 UART 波特率自动检测
        2. 11.2.2.2 SSI 传输
      3. 11.2.3 串行总线命令
        1. 11.2.3.1  COMMAND_PING
        2. 11.2.3.2  COMMAND_DOWNLOAD
        3. 11.2.3.3  COMMAND_SEND_DATA
        4. 11.2.3.4  COMMAND_SECTOR_ERASE
        5. 11.2.3.5  COMMAND_GET_STATUS
        6. 11.2.3.6  COMMAND_RESET
        7. 11.2.3.7  COMMAND_GET_CHIP_ID
        8. 11.2.3.8  COMMAND_CRC32
        9. 11.2.3.9  COMMAND_BANK_ERASE
        10. 11.2.3.10 COMMAND_MEMORY_READ
        11. 11.2.3.11 COMMAND_MEMORY_WRITE
        12. 11.2.3.12 COMMAND_SET_CCFG
        13. 11.2.3.13 COMMAND_DOWNLOAD_CRC
  13. 12器件配置
    1. 12.1 客户配置 (CCFG)
    2. 12.2 CCFG 寄存器
      1. 12.2.1 CCFG 寄存器
    3. 12.3 出厂配置 (FCFG)
    4. 12.4 FCFG 寄存器
      1. 12.4.1 FCFG1 寄存器
  14. 13加密
    1. 13.1 AES 和哈希加密处理器简介
    2. 13.2 功能说明
      1. 13.2.1 调试功能
      2. 13.2.2 异常处理
    3. 13.3 电源管理和睡眠模式
    4. 13.4 硬件说明
      1. 13.4.1 AHB 从总线
      2. 13.4.2 AHB 主总线
      3. 13.4.3 中断
    5. 13.5 模块说明
      1. 13.5.1 简介
      2. 13.5.2 模块存储器映射
      3. 13.5.3 DMA 控制器
        1. 13.5.3.1 内部操作
        2. 13.5.3.2 支持的 DMA 运行
      4. 13.5.4 主控制和选择模块
        1. 13.5.4.1 算法选择寄存器
          1. 13.5.4.1.1 算法选择
        2. 13.5.4.2 主器件 PROT 启用
          1. 13.5.4.2.1 主 PROT 特权访问启用
        3. 13.5.4.3 软件复位
      5. 13.5.5 AES 引擎
        1. 13.5.5.1 第二密钥寄存器（内部，但可清除）
        2. 13.5.5.2 AES 初始化矢量 (IV) 寄存器
        3. 13.5.5.3 AES I/O 缓冲器控制、模式和长度寄存器
        4. 13.5.5.4 数据输入和输出寄存器
        5. 13.5.5.5 TAG 寄存器
      6. 13.5.6 键区寄存器
        1. 13.5.6.1 密钥写入区域寄存器
        2. 13.5.6.2 密钥写入区域寄存器
        3. 13.5.6.3 密钥大小寄存器
        4. 13.5.6.4 密钥存储区读取区域寄存器
        5. 13.5.6.5 哈希引擎
    6. 13.6 AES 模块性能
      1. 13.6.1 简介
      2. 13.6.2 基于 DMA 的操作的性能
    7. 13.7 编程指南
      1. 13.7.1 复位后的一次性初始化
      2. 13.7.2 DMAC 及主控
        1. 13.7.2.1 经常使用
        2. 13.7.2.2 中断 DMA 传输
        3. 13.7.2.3 中断、硬件和软件同步
      3. 13.7.3 哈希
        1. 13.7.3.1 数据格式和字节顺序
        2. 13.7.3.2 带有来自 DMA 的数据的基本哈希
          1. 13.7.3.2.1 通过从器件读取摘要的新哈希会话
          2. 13.7.3.2.2 新建哈希会话并将摘要输出到外部存储器
          3. 13.7.3.2.3 恢复的哈希会话
        3. 13.7.3.3 HMAC
          1. 13.7.3.3.1 安全 HMAC
        4. 13.7.3.4 数据源自从器件接口的备用基本哈希
          1. 13.7.3.4.1 新哈希会话
          2. 13.7.3.4.2 恢复的哈希会话
      4. 13.7.4 加密和解密
        1. 13.7.4.1 数据格式和字节顺序
        2. 13.7.4.2 密钥存储
          1. 13.7.4.2.1 从外部存储器加载密钥
        3. 13.7.4.3 基本 AES 模式
          1. 13.7.4.3.1 AES-ECB
          2. 13.7.4.3.2 AES-CBC
          3. 13.7.4.3.3 AES-CTR
          4. 13.7.4.3.4 使用 DMA 数据的编程顺序
        4. 13.7.4.4 CBC-MAC
          1. 13.7.4.4.1 CBC-MAC 编程顺序
        5. 13.7.4.5 AES-CCM
          1. 13.7.4.5.1 AES-CCM 编程顺序
        6. 13.7.4.6 AES-GCM
          1. 13.7.4.6.1 AES-GCM 编程顺序
      5. 13.7.5 异常处理
        1. 13.7.5.1 软复位
        2. 13.7.5.2 外部端口错误
        3. 13.7.5.3 密钥存储错误
          1. 13.7.5.3.1 PKA 引擎
          2. 13.7.5.3.2 功能说明
            1. 13.7.5.3.2.1 模块架构
          3. 13.7.5.3.3 PKA RAM
            1. 13.7.5.3.3.1 PKCP 操作
            2. 13.7.5.3.3.2 序列发生器操作
              1. 13.7.5.3.3.2.1 模幂运算
              2. 13.7.5.3.3.2.2 模逆运算
              3. 13.7.5.3.3.2.3 性能
              4. 13.7.5.3.3.2.4 ECC 操作
              5. 13.7.5.3.3.2.5 性能
              6. 13.7.5.3.3.2.6 ExpMod 性能
              7. 13.7.5.3.3.2.7 模逆性能
              8. 13.7.5.3.3.2.8 ECC 操作性能
            3. 13.7.5.3.3.3 序列发生器 ROM 行为和接口
            4. 13.7.5.3.3.4 寄存器配置
            5. 13.7.5.3.3.5 运行时序
    8. 13.8 约定与合规性
      1. 13.8.1 本手册中使用的约定
        1. 13.8.1.1 术语
        2. 13.8.1.2 公式和命名规则
      2. 13.8.2 合规性
    9. 13.9 加密寄存器
      1. 13.9.1 CRYPTO 寄存器
  15. 14I/O 控制器 (IOC)
    1. 14.1  简介
    2. 14.2  IOC 概述
    3. 14.3  I/O 映射和配置
      1. 14.3.1 基本 I/O 映射
      2. 14.3.2 将 AUXIO 映射到 DIO 引脚
      3. 14.3.3 通过 I/O 控制外部 LNA/PA（范围扩展器）
      4. 14.3.4 将 32kHz 系统时钟（LF 时钟）映射至 DIO
    4. 14.4  DIO 引脚上的边沿检测
      1. 14.4.1 将 DIO 配置为 GPIO 输入，生成 EDGE DETECT 上的中断
    5. 14.5  未使用的 I/O 引脚
    6. 14.6  GPIO
    7. 14.7  I/O 引脚功能
    8. 14.8  外设 PORTID
    9. 14.9  I/O 引脚
      1. 14.9.1 输入/输出模式
        1. 14.9.1.1 物理引脚
        2. 14.9.1.2 引脚配置
    10. 14.10 IOC 寄存器
      1. 14.10.1 AON_IOC 寄存器
      2. 14.10.2 GPIO 寄存器
      3. 14.10.3 IOC 寄存器
  16. 15微型直接存储器存取 (µDMA)
    1. 15.1 μDMA 简介
    2. 15.2 方框图
    3. 15.3 功能说明
      1. 15.3.1  通道分配
      2. 15.3.2  优先级
      3. 15.3.3  仲裁大小
      4. 15.3.4  请求类型
        1. 15.3.4.1 单个请求
        2. 15.3.4.2 突发请求
      5. 15.3.5  通道配置
      6. 15.3.6  传输模式
        1. 15.3.6.1 停止模式
        2. 15.3.6.2 基本模式
        3. 15.3.6.3 自动模式
        4. 15.3.6.4 乒乓模式
        5. 15.3.6.5 内存散聚模式
        6. 15.3.6.6 外设散聚模式
      7. 15.3.7  传输大小和增量
      8. 15.3.8  外设接口
      9. 15.3.9  软件请求
      10. 15.3.10 中断和错误
    4. 15.4 初始化和配置
      1. 15.4.1 模块初始化
      2. 15.4.2 配置存储器到存储器传输
        1. 15.4.2.1 配置通道属性
        2. 15.4.2.2 配置通道控制结构
        3. 15.4.2.3 启动传输
    5. 15.5 µDMA 寄存器
      1. 15.5.1 UDMA 寄存器
  17. 16计时器
    1. 16.1 通用计时器
    2. 16.2 方框图
    3. 16.3 功能说明
      1. 16.3.1 GPTM 复位条件
      2. 16.3.2 计时器模式
        1. 16.3.2.1 单次触发或周期计时器模式
        2. 16.3.2.2 输入边沿计数模式
        3. 16.3.2.3 输入边沿时间模式
        4. 16.3.2.4 PWM 模式
        5. 16.3.2.5 等待触发模式
      3. 16.3.3 同步 GPT 模块
      4. 16.3.4 访问级联的 16 位和 32 位 GPTM 寄存器值
    4. 16.4 初始化和配置
      1. 16.4.1 单次触发和周期计时器模式
      2. 16.4.2 输入边沿计数模式
      3. 16.4.3 输入边沿计时模式
      4. 16.4.4 PWM 模式
      5. 16.4.5 生成 DMA 触发事件
    5. 16.5 GPTM 寄存器
      1. 16.5.1 GPT 寄存器
  18. 17实时时钟 (RTC)
    1. 17.1 简介
    2. 17.2 功能规格
      1. 17.2.1 功能概述
      2. 17.2.2 自由运行计数器
      3. 17.2.3 通道
        1. 17.2.3.1 捕获和比较
      4. 17.2.4 事件
    3. 17.3 RTC 寄存器信息
      1. 17.3.1 寄存器访问
      2. 17.3.2 进入睡眠和从睡眠中唤醒
      3. 17.3.3 AON_RTC:SYNC 寄存器
    4. 17.4 RTC 寄存器
      1. 17.4.1 AON_RTC 寄存器
  19. 18看门狗计时器 (WDT)
    1. 18.1 简介
    2. 18.2 功能说明
    3. 18.3 初始化和配置
    4. 18.4 WDT 寄存器
      1. 18.4.1 WDT 寄存器
  20. 19真随机数发生器 (TRNG)
    1. 19.1 简介
    2. 19.2 方框图
    3. 19.3 TRNG 软件复位
    4. 19.4 中断请求
    5. 19.5 TRNG 操作说明
      1. 19.5.1 TRNG 关断
      2. 19.5.2 TRNG 警报
      3. 19.5.3 TRNG 熵
    6. 19.6 TRNG 底层编程指南
      1. 19.6.1 初始化
        1. 19.6.1.1 接口模块
        2. 19.6.1.2 TRNG 主序列
        3. 19.6.1.3 TRNG 工作模式
          1. 19.6.1.3.1 轮询模式
          2. 19.6.1.3.2 中断模式
    7. 19.7 TRNG 寄存器
      1. 19.7.1 TRNG 寄存器
  21. 20AUX 域传感器控制器和外设
    1. 20.1 简介
      1. 20.1.1 AUX 方框图
    2. 20.2 电源和时钟管理
      1. 20.2.1 工作模式
        1. 20.2.1.1 双速率 AUX 时钟
      2. 20.2.2 使用场景
        1. 20.2.2.1 MCU
        2. 20.2.2.2 传感器控制器
      3. 20.2.3 SCE 时钟仿真
      4. 20.2.4 AUX RAM 保持
    3. 20.3 传感器控制器
      1. 20.3.1 Sensor Controller Studio
        1. 20.3.1.1 编程模型
        2. 20.3.1.2 任务开发
        3. 20.3.1.3 任务测试、任务调试和运行时日志记录
        4. 20.3.1.4 文档
      2. 20.3.2 传感器控制器引擎 (SCE)
        1. 20.3.2.1  寄存器
          1.        流水线风险
        2. 20.3.2.2  存储器架构
          1.        指令和数据的存储器访问
          2.        模块寄存器的 I/O 访问
        3. 20.3.2.3  程序流程
          1.        零开销循环
        4. 20.3.2.4  指令集
          1. 20.3.2.4.1 指令时序
          2. 20.3.2.4.2 指令前缀
          3. 20.3.2.4.3 指令
        5. 20.3.2.5  SCE 事件接口
        6. 20.3.2.6  数学加速器 (MAC)
        7. 20.3.2.7  可编程微秒延迟
        8. 20.3.2.8  唤醒事件处理
        9. 20.3.2.9  访问 AON 域寄存器
        10. 20.3.2.10 VDDR 充电
    4. 20.4 数字外设模块
      1. 20.4.1 概述
        1. 20.4.1.1 DDI 控制配置
      2. 20.4.2 AIODIO
        1. 20.4.2.1 简介
        2. 20.4.2.2 功能说明
          1. 20.4.2.2.1 映射到 DIO 引脚
          2. 20.4.2.2.2 配置
          3. 20.4.2.2.3 GPIO 模式
          4. 20.4.2.2.4 输入缓冲器
          5. 20.4.2.2.5 数据输出源
      3. 20.4.3 SMPH
        1. 20.4.3.1 简介
        2. 20.4.3.2 功能说明
        3. 20.4.3.3 TI 软件中的信标分配
      4. 20.4.4 SPIM
        1. 20.4.4.1 简介
        2. 20.4.4.2 功能说明
          1. 20.4.4.2.1 TX 和 RX 操作
          2. 20.4.4.2.2 配置
          3. 20.4.4.2.3 时序图
      5. 20.4.5 时间数字转换器 (TDC)
        1. 20.4.5.1 简介
        2. 20.4.5.2 功能说明
          1. 20.4.5.2.1 命令
          2. 20.4.5.2.2 转换时间配置
          3. 20.4.5.2.3 状态和结果
          4. 20.4.5.2.4 时钟源选择
            1. 20.4.5.2.4.1 计数器时钟
            2. 20.4.5.2.4.2 基准时钟
          5. 20.4.5.2.5 启动和停止事件
          6. 20.4.5.2.6 预分频器
        3. 20.4.5.3 支持的测量类型
          1. 20.4.5.3.1 测量脉冲宽度
          2. 20.4.5.3.2 测量频率
          3. 20.4.5.3.3 测量不同事件源之间的边沿时间间隔
            1. 20.4.5.3.3.1 异步计数器启动 — 忽略 0 个停止事件
            2. 20.4.5.3.3.2 同步计数器启动 — 忽略 0 个停止事件
            3. 20.4.5.3.3.3 异步计数器启动 — 忽略停止事件
            4. 20.4.5.3.3.4 同步计数器启动 — 忽略停止事件
          4. 20.4.5.3.4 脉冲计数
      6. 20.4.6 Timer01
        1. 20.4.6.1 简介
        2. 20.4.6.2 功能说明
      7. 20.4.7 Timer2
        1. 20.4.7.1 简介
        2. 20.4.7.2 功能说明
          1. 20.4.7.2.1 时钟源
          2. 20.4.7.2.2 时钟预分频器
          3. 20.4.7.2.3 计数器
          4. 20.4.7.2.4 事件输出
          5. 20.4.7.2.5 通道操作
            1. 20.4.7.2.5.1 周期和脉冲宽度测量
              1. 20.4.7.2.5.1.1 计时器周期和脉冲宽度捕获
            2. 20.4.7.2.5.2 归零时清除，比较时重复翻转
              1. 20.4.7.2.5.2.1 通道 0 生成中心对齐 PWM
            3. 20.4.7.2.5.3 归零时设置，比较时重复翻转
              1. 20.4.7.2.5.3.1 通道 0 生成边沿对齐 PWM
          6. 20.4.7.2.6 异步总线桥
    5. 20.5 模拟外设模块
      1. 20.5.1 概述
        1. 20.5.1.1 ADI 控制配置
        2. 20.5.1.2 方框图
      2. 20.5.2 模数转换器 (ADC)
        1. 20.5.2.1 简介
        2. 20.5.2.2 功能说明
          1. 20.5.2.2.1 输入选择和缩放
          2. 20.5.2.2.2 基准选择
          3. 20.5.2.2.3 ADC 采样模式
          4. 20.5.2.2.4 ADC 时钟源
          5. 20.5.2.2.5 ADC 触发器
          6. 20.5.2.2.6 采样 FIFO
          7. 20.5.2.2.7 µDMA 接口
          8. 20.5.2.2.8 资源所有权和使用情况
      3. 20.5.3 COMPA
        1. 20.5.3.1 简介
        2. 20.5.3.2 功能说明
          1. 20.5.3.2.1 输入选择
          2. 20.5.3.2.2 基准选择
          3. 20.5.3.2.3 LPM 偏置和 COMPA 使能
          4. 20.5.3.2.4 资源所有权和使用情况
      4. 20.5.4 COMPB
        1. 20.5.4.1 简介
        2. 20.5.4.2 功能说明
          1. 20.5.4.2.1 输入选择
          2. 20.5.4.2.2 基准选择
          3. 20.5.4.2.3 资源所有权和使用情况
            1. 20.5.4.2.3.1 传感器控制器唤醒
            2. 20.5.4.2.3.2 系统 CPU 唤醒
      5. 20.5.5 参考 DAC
        1. 20.5.5.1 简介
        2. 20.5.5.2 功能说明
          1. 20.5.5.2.1 基准选择
          2. 20.5.5.2.2 输出电压控制和范围
          3. 20.5.5.2.3 采样时钟
            1. 20.5.5.2.3.1 自动相位控制
            2. 20.5.5.2.3.2 手动相位控制
            3. 20.5.5.2.3.3 工作模式依赖
          4. 20.5.5.2.4 输出选择
            1. 20.5.5.2.4.1 缓存器
            2. 20.5.5.2.4.2 外部负载
            3. 20.5.5.2.4.3 COMPA_REF
            4. 20.5.5.2.4.4 COMPB_REF
          5. 20.5.5.2.5 LPM 偏置
          6. 20.5.5.2.6 资源所有权和使用情况
      6. 20.5.6 ISRC
        1. 20.5.6.1 简介
        2. 20.5.6.2 功能说明
          1. 20.5.6.2.1 可编程电流
          2. 20.5.6.2.2 电压基准
          3. 20.5.6.2.3 ISRC 使能
          4. 20.5.6.2.4 不受温度影响
          5. 20.5.6.2.5 资源所有权和使用情况
    6. 20.6 事件路由和使用
      1. 20.6.1 AUX 事件总线
        1. 20.6.1.1 事件信号
        2. 20.6.1.2 事件订阅者
          1. 20.6.1.2.1 事件检测
            1. 20.6.1.2.1.1 异步事件检测
            2. 20.6.1.2.1.2 同步事件检测
      2. 20.6.2 在外部引脚上观察事件
      3. 20.6.3 来自 MCU 域的事件
      4. 20.6.4 发送到 MCU 域的事件
      5. 20.6.5 来自 AON 域的事件
      6. 20.6.6 发送到 AON 域的事件
      7. 20.6.7 µDMA 接口
    7. 20.7 传感器控制器别名寄存器空间
    8. 20.8 AUX 域传感器控制器和外设寄存器
      1. 20.8.1  ADI_4_AUX 寄存器
      2. 20.8.2  AUX_AIODIO 寄存器
      3. 20.8.3  AUX_EVCTL 寄存器
      4. 20.8.4  AUX_SMPH 寄存器
      5. 20.8.5  AUX_TDC 寄存器
      6. 20.8.6  AUX_TIMER01 寄存器
      7. 20.8.7  AUX_TIMER2 寄存器
      8. 20.8.8  AUX_ANAIF 寄存器
      9. 20.8.9  AUX_SYSIF 寄存器
      10. 20.8.10 AUX_SPIM 寄存器
      11. 20.8.11 AUX_MAC 寄存器
      12. 20.8.12 AUX_SCE 寄存器
  22. 21电池监测器和温度传感器 (BATMON)
    1. 21.1 简介
    2. 21.2 功能说明
    3. 21.3 BATMON 寄存器
      1. 21.3.1 AON_BATMON 寄存器
  23. 22通用异步收发器 (UART)
    1. 22.1 简介
    2. 22.2 方框图
    3. 22.3 信号描述
    4. 22.4 功能说明
      1. 22.4.1 发送和接收逻辑
      2. 22.4.2 波特率生成
      3. 22.4.3 数据传输
      4. 22.4.4 调制解调器握手支持
        1. 22.4.4.1 信号
        2. 22.4.4.2 流控
          1. 22.4.4.2.1 硬件流控制（RTS 和 CTS）
          2. 22.4.4.2.2 软件流控制（调制解调器状态中断）
      5. 22.4.5 FIFO 操作
      6. 22.4.6 中断
      7. 22.4.7 环回操作
    5. 22.5 用于连接 DMA 的接口
    6. 22.6 初始化和配置
    7. 22.7 UART 寄存器
      1. 22.7.1 UART 寄存器
  24. 23同步串行接口 (SSI)
    1. 23.1 简介
    2. 23.2 方框图
    3. 23.3 信号描述
    4. 23.4 功能说明
      1. 23.4.1 比特率生成
      2. 23.4.2 FIFO 操作
        1. 23.4.2.1 发送FIFO
        2. 23.4.2.2 接收FIFO
      3. 23.4.3 中断
      4. 23.4.4 帧格式
        1. 23.4.4.1 德州仪器 (TI) 同步串行帧格式
        2. 23.4.4.2 Motorola SPI 帧格式
          1. 23.4.4.2.1 SPO 时钟极性位
          2. 23.4.4.2.2 SPH 相位控制位
        3. 23.4.4.3 SPO = 0 和 SPH = 0 时的 Motorola SPI 帧格式
        4. 23.4.4.4 SPO = 0 和 SPH = 1 时的 Motorola SPI 帧格式
        5. 23.4.4.5 SPO = 1 和 SPH = 0 时的 Motorola SPI 帧格式
        6. 23.4.4.6 SPO = 1 和 SPH = 1 时的 Motorola SPI 帧格式
        7. 23.4.4.7 MICROWIRE 帧格式
    5. 23.5 DMA 操作
    6. 23.6 初始化和配置
    7. 23.7 SSI 寄存器
      1. 23.7.1 SSI 寄存器
  25. 24内部集成电路 (I2C)
    1. 24.1 简介
    2. 24.2 方框图
    3. 24.3 功能说明
      1. 24.3.1 I2C 总线功能概述
        1. 24.3.1.1 启动和停止条件
        2. 24.3.1.2 带有 7 位地址的数据格式
        3. 24.3.1.3 数据有效性
        4. 24.3.1.4 响应
        5. 24.3.1.5 仲裁
      2. 24.3.2 可用速度模式
        1. 24.3.2.1 标准和快速模式
      3. 24.3.3 中断
        1. 24.3.3.1 I2C 主器件中断
        2. 24.3.3.2 I2C 从器件中断
      4. 24.3.4 环回操作
      5. 24.3.5 命令序列流程图
        1. 24.3.5.1 I2C 主器件命令序列
        2. 24.3.5.2 I2C 从器件命令序列
    4. 24.4 初始化和配置
    5. 24.5 I2C 寄存器
      1. 24.5.1 I2C 寄存器
  26. 25IC 间音频 (I2S)
    1. 25.1 简介
    2. 25.2 方框图
    3. 25.3 信号描述
    4. 25.4 功能说明
      1. 25.4.1 依赖项
        1. 25.4.1.1 系统 CPU 深度睡眠模式
      2. 25.4.2 引脚配置
      3. 25.4.3 串行格式配置
      4. 25.4.4 I2S
        1. 25.4.4.1 寄存器配置
      5. 25.4.5 左对齐 (LJF)
        1. 25.4.5.1 寄存器配置
      6. 25.4.6 右对齐 (RJF)
        1. 25.4.6.1 寄存器配置
      7. 25.4.7 DSP
        1. 25.4.7.1 寄存器配置
      8. 25.4.8 时钟配置
        1. 25.4.8.1 内部音频时钟源
        2. 25.4.8.2 外部音频时钟源
    5. 25.5 存储器接口
      1. 25.5.1 采样字长
      2. 25.5.2 通道映射
      3. 25.5.3 存储器中的采样存储
      4. 25.5.4 DMA 运行
        1. 25.5.4.1 启动
        2. 25.5.4.2 运行
        3. 25.5.4.3 关断
    6. 25.6 采样时间戳发生器
      1. 25.6.1 样片戳计数器
      2. 25.6.2 启动触发
      3. 25.6.3 采样时间戳捕获
      4. 25.6.4 实现恒定音频延迟
    7. 25.7 错误检测
    8. 25.8 用途
      1. 25.8.1 启动序列
      2. 25.8.2 关断序列
    9. 25.9 I2S 寄存器
      1. 25.9.1 I2S 寄存器
  27. 26无线电
    1. 26.1  RF 内核
      1. 26.1.1 概要说明和概述
    2. 26.2  无线电门铃
      1. 26.2.1 特殊引导过程
      2. 26.2.2 命令及状态寄存器和事件
      3. 26.2.3 RF 内核中断
        1. 26.2.3.1 RF 命令和数据包引擎中断
        2. 26.2.3.2 射频内核硬件中断
        3. 26.2.3.3 RF 内核命令确认中断
      4. 26.2.4 无线电计时器
        1. 26.2.4.1 比较和捕获事件
        2. 26.2.4.2 无线电计时器输出
        3. 26.2.4.3 与实时时钟同步
    3. 26.3  RF 内核 HAL
      1. 26.3.1 硬件支持
      2. 26.3.2 固件支持
        1. 26.3.2.1 命令
        2. 26.3.2.2 状态命令
        3. 26.3.2.3 中断
        4. 26.3.2.4 传递数据
        5. 26.3.2.5 命令调度
          1. 26.3.2.5.1 触发条件
          2. 26.3.2.5.2 条件执行
          3. 26.3.2.5.3 命令启动前的处理
        6. 26.3.2.6 命令数据结构
          1. 26.3.2.6.1 无线电操作命令结构
        7. 26.3.2.7 数据输入结构
          1. 26.3.2.7.1 数据条目队列
          2. 26.3.2.7.2 数据条目
          3. 26.3.2.7.3 指针条目
          4. 26.3.2.7.4 部分读取 RX 条目
        8. 26.3.2.8 外部信令
      3. 26.3.3 命令定义
        1. 26.3.3.1 与协议无关的无线电操作命令
          1. 26.3.3.1.1  CMD_NOP：无操作命令
          2. 26.3.3.1.2  CMD_RADIO_SETUP：设置无线电设置命令
          3. 26.3.3.1.3  CMD_FS_POWERUP：上电频率合成器
          4. 26.3.3.1.4  CMD_FS_POWERDOWN：关闭频率合成器电源
          5. 26.3.3.1.5  CMD_FS：频率合成器控制命令
          6. 26.3.3.1.6  CMD_FS_OFF：关闭频率合成器
          7. 26.3.3.1.7  CMD_RX_TEST：接收器测试命令
          8. 26.3.3.1.8  CMD_TX_TEST：发送器测试命令
          9. 26.3.3.1.9  CMD_SYNC_STOP_RAT：同步和停止无线电计时器命令
          10. 26.3.3.1.10 CMD_SYNC_START_RAT：同步启动无线电计时器命令
          11. 26.3.3.1.11 CMD_COUNT：计数器命令
          12. 26.3.3.1.12 CMD_SCH_IMM：以无线电操作形式运行即时命令
          13. 26.3.3.1.13 CMD_COUNT_BRANCH：带有命令链分支的计数器命令
          14. 26.3.3.1.14 CMD_PATTERN_CHECK：将存储器中的值与模式进行比较
        2. 26.3.3.2 与协议无关的直接和即时命令
          1. 26.3.3.2.1  CMD_ABORT：ABORT 命令
          2. 26.3.3.2.2  CMD_STOP：停止命令
          3. 26.3.3.2.3  CMD_GET_RSSI：读取 RSSI 命令
          4. 26.3.3.2.4  CMD_UPDATE_RADIO_SETUP：更新无线电设置命令
          5. 26.3.3.2.5  CMD_TRIGGER：生成命令触发器
          6. 26.3.3.2.6  CMD_GET_FW_INFO：请求有关正在运行的固件的信息
          7. 26.3.3.2.7  CMD_START_RAT：异步启动无线电计时器命令
          8. 26.3.3.2.8  CMD_PING：以中断进行响应
          9. 26.3.3.2.9  CMD_READ_RFREG：读取射频内核寄存器
          10. 26.3.3.2.10 CMD_SET_RAT_CMP：将 RAT 通道设置为比较模式
          11. 26.3.3.2.11 CMD_SET_RAT_CPT：将 RAT 通道设置为捕获模式
          12. 26.3.3.2.12 CMD_DISABLE_RAT_CH：禁用 RAT 通道
          13. 26.3.3.2.13 CMD_SET_RAT_OUTPUT：将 RAT 输出设置为指定模式
          14. 26.3.3.2.14 CMD_ARM_RAT_CH：配置 RAT 通道
          15. 26.3.3.2.15 CMD_DISARM_RAT_CH：解除 RAT 通道配置
          16. 26.3.3.2.16 CMD_SET_TX_POWER：设置发射功率
          17. 26.3.3.2.17 CMD_SET_TX20_POWER：设置 20dBm PA 的传输功率
          18. 26.3.3.2.18 CMD_UPDATE_FS：设置新的合成器频率而不进行重新校准（已弃用）
          19. 26.3.3.2.19 CMD_MODIFY_FS：设置新的合成器频率而不进行重新校准
          20. 26.3.3.2.20 CMD_BUS_REQUEST：请求可用于 RF 内核的系统总线
      4. 26.3.4 数据队列操作的立即命令
        1. 26.3.4.1 CMD_ADD_DATA_ENTRY：将数据条目添加到队列
        2. 26.3.4.2 CMD_REMOVE_DATA_ENTRY：从队列中删除第一个数据条目
        3. 26.3.4.3 CMD_FLUSH_QUEUE：刷新队列
        4. 26.3.4.4 CMD_CLEAR_RX：清除所有 RX 队列条目
        5. 26.3.4.5 CMD_REMOVE_PENDING_ENTRIES：从队列中删除待处理条目
    4. 26.4  数据队列使用情况
      1. 26.4.1 数据队列上的操作仅可用于内部无线电 CPU 操作
        1. 26.4.1.1 PROC_ALLOCATE_TX：分配 TX 条目以进行读取
        2. 26.4.1.2 PROC_FREE_DATA_ENTRY：自由分配的数据条目
        3. 26.4.1.3 PROC_FINISH_DATA_ENTRY：完成队列中第一个数据条目的使用
        4. 26.4.1.4 PROC_ALLOCATE_RX：分配 RX 缓冲区来存储数据
        5. 26.4.1.5 PROC_FINISH_RX：将收到的数据提交到 RX 数据条目
      2. 26.4.2 无线电 CPU 使用模型
        1. 26.4.2.1 接收队列
        2. 26.4.2.2 发送队列
    5. 26.5  IEEE 802.15.4
      1. 26.5.1 IEEE 802.15.4 命令
        1. 26.5.1.1 IEEE 802.15.4 无线电操作命令结构
        2. 26.5.1.2 IEEE 802.15.4 即时命令结构
        3. 26.5.1.3 输出结构
        4. 26.5.1.4 其他结构和位字段
      2. 26.5.2 中断
      3. 26.5.3 数据处理
        1. 26.5.3.1 接收缓冲器
        2. 26.5.3.2 发送缓冲区
      4. 26.5.4 无线电操作命令
        1. 26.5.4.1 RX 操作
          1. 26.5.4.1.1 帧过滤和源匹配
            1. 26.5.4.1.1.1 帧过滤
            2. 26.5.4.1.1.2 源匹配
          2. 26.5.4.1.2 帧接收
          3. 26.5.4.1.3 ACK 发送
          4. 26.5.4.1.4 接收操作结束
          5. 26.5.4.1.5 CCA 监测
        2. 26.5.4.2 能量检测扫描操作
        3. 26.5.4.3 CSMA-CA 操作
        4. 26.5.4.4 发送操作
        5. 26.5.4.5 接收确认操作
        6. 26.5.4.6 中止后台级操作命令
      5. 26.5.5 即时命令
        1. 26.5.5.1 修改 CCA 参数命令
        2. 26.5.5.2 修改帧过滤参数命令
        3. 26.5.5.3 启用或禁用源匹配条目命令
        4. 26.5.5.4 中止前台级操作命令
        5. 26.5.5.5 停止前台级操作命令
        6. 26.5.5.6 请求 CCA 及 RSSI 信息命令
    6. 26.6  低功耗 Bluetooth®
      1. 26.6.1 低功耗 Bluetooth® 命令
        1. 26.6.1.1 命令数据定义
          1. 26.6.1.1.1 低功耗 Bluetooth® 命令结构
        2. 26.6.1.2 参数结构
        3. 26.6.1.3 输出结构
        4. 26.6.1.4 其他结构及位字段
      2. 26.6.2 中断
    7. 26.7  数据处理
      1. 26.7.1 接收缓冲器
      2. 26.7.2 发送缓冲器
    8. 26.8  无线电操作命令说明
      1. 26.8.1  Bluetooth®5 无线电设置命令
      2. 26.8.2  用于低功耗 Bluetooth® 数据包传输的无线电操作命令
      3. 26.8.3  编码 PHY 的编码选择
      4. 26.8.4  参数覆盖
      5. 26.8.5  链路层连接
      6. 26.8.6  从器件命令
      7. 26.8.7  主器件命令
      8. 26.8.8  传统广播器
        1. 26.8.8.1 可连接的非定向广播器命令
        2. 26.8.8.2 可连接的定向广播器命令
        3. 26.8.8.3 不可连接的广播器命令
        4. 26.8.8.4 可扫描非定向广播器命令
      9. 26.8.9  Bluetooth® 5 广播器命令
        1. 26.8.9.1 通用扩展广播数据包
        2. 26.8.9.2 扩展的广播器命令
        3. 26.8.9.3 辅助通道广播器命令
      10. 26.8.10 扫描器命令
        1. 26.8.10.1 扫描器在主通道上接收传统广播数据包
        2. 26.8.10.2 扫描器在主通道上接收扩展广播数据包
        3. 26.8.10.3 扫描器在次级通道上接收扩展广播包
        4. 26.8.10.4 ADI 滤波
        5. 26.8.10.5 扫描器命令结束
      11. 26.8.11 启动器命令
        1. 26.8.11.1 在主通道上接收传统广播数据包的启动器
        2. 26.8.11.2 启动器在主通道上接收扩展广播数据包
        3. 26.8.11.3 启动器在次级通道上接收扩展广播数据包
        4. 26.8.11.4 自动窗口偏移插入
        5. 26.8.11.5 启动器命令结束
      12. 26.8.12 通用接收器命令
      13. 26.8.13 PHY 测试发送命令
      14. 26.8.14 白名单处理
      15. 26.8.15 退避过程
      16. 26.8.16 AUX 指针处理
      17. 26.8.17 器件地址的动态更改
    9. 26.9  即时命令
      1. 26.9.1 更新广播有效载荷命令
    10. 26.10 专有无线电
      1. 26.10.1 数据包格式
      2. 26.10.2 命令
        1. 26.10.2.1 命令数据定义
          1. 26.10.2.1.1 命令结构
        2. 26.10.2.2 输出结构
        3. 26.10.2.3 其他结构和位字段
      3. 26.10.3 中断
      4. 26.10.4 数据处理
        1. 26.10.4.1 接收缓冲区
        2. 26.10.4.2 发送缓冲器
      5. 26.10.5 无线电操作命令说明
        1. 26.10.5.1 操作结束
        2. 26.10.5.2 专有模式设置命令
          1. 26.10.5.2.1 IEEE 802.15.4g 数据包格式
        3. 26.10.5.3 发送器命令
          1. 26.10.5.3.1 标准传输命令 CMD_PROP_TX
          2. 26.10.5.3.2 高级发送命令，CMD_PROP_TX_ADV
        4. 26.10.5.4 接收器命令
          1. 26.10.5.4.1 标准接收命令 CMD_PROP_RX
          2. 26.10.5.4.2 高级接收命令 CMD_PROP_RX_ADV
        5. 26.10.5.5 载波侦听操作
          1. 26.10.5.5.1 常见载波检测说明
          2. 26.10.5.5.2 载波检测命令，CMD_PROP_CS
          3. 26.10.5.5.3 嗅探模式接收命令 CMD_PROP_RX_SNIFF 和 CMD_PROP_RX_ADV_SNIFF
      6. 26.10.6 即时命令
        1. 26.10.6.1 设置数据包长度命令 CMD_PROP_SET_LEN
        2. 26.10.6.2 重新启动数据包 RX 命令 CMD_PROP_RESTART_RX
    11. 26.11 无线电寄存器
      1. 26.11.1 RFC_RAT 寄存器
      2. 26.11.2 RFC_DBELL 寄存器
      3. 26.11.3 RFC_PWR 寄存器
  28. 27修订历史记录

14.10.3 IOC 寄存器

表 14-28 列出了 IOC 寄存器的存储器映射寄存器。表 14-28中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 14-28 IOC 寄存器
偏移首字母缩写词寄存器名称部分
0hIOCFG0DIO0 的配置IOCFG0 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = 00006000h]
4hIOCFG1DIO1 的配置IOCFG1 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 00006000h]
8hIOCFG2DIO2 的配置IOCFG2 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = 00006000h]
ChIOCFG3DIO3 的配置IOCFG3 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = 00006000h]
10hIOCFG4DIO4 的配置IOCFG4 寄存器（偏移 = 10h）[复位 = 00006000h]
14hIOCFG5DIO5 的配置IOCFG5 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = 00006000h]
18hIOCFG6DIO6 的配置IOCFG6 寄存器（偏移 = 18h）[复位 = 00006000h]
1ChIOCFG7DIO7 的配置IOCFG7 寄存器（偏移 = 1Ch）[复位 = 00006000h]
20hIOCFG8DIO8 的配置IOCFG8 寄存器（偏移 = 20h）[复位 = 00006000h]
24hIOCFG9DIO9 的配置IOCFG9 寄存器（偏移 = 24h）[复位 = 00006000h]
28hIOCFG10DIO10 的配置IOCFG10 寄存器（偏移 = 28h）[复位 = 00006000h]
2ChIOCFG11DIO11 的配置IOCFG11 寄存器（偏移 = 2Ch）[复位 = 00006000h]
30hIOCFG12DIO12 的配置IOCFG12 寄存器（偏移 = 30h）[复位 = 00006000h]
34hIOCFG13DIO13 的配置IOCFG13 寄存器（偏移 = 34h）[复位 = 00006000h]
38hIOCFG14DIO14 的配置IOCFG14 寄存器（偏移 = 38h）[复位 = 00006000h]
3ChIOCFG15DIO15 的配置IOCFG15 寄存器（偏移 = 3Ch）[复位 = 00006000h]
40hIOCFG16DIO16 的配置IOCFG16 寄存器（偏移 = 40h）[复位 = 00086000h]
44hIOCFG17DIO17 的配置IOCFG17 寄存器（偏移 = 44h）[复位 = 00106000h]
48hIOCFG18DIO18 的配置IOCFG18 寄存器（偏移 = 48h）[复位 = 00006000h]
4ChIOCFG19DIO19 的配置IOCFG19 寄存器（偏移 = 4Ch）[复位 = 00006000h]
50hIOCFG20DIO20 的配置IOCFG20 寄存器（偏移 = 50h）[复位 = 00006000h]
54hIOCFG21DIO21 的配置IOCFG21 寄存器（偏移 = 54h）[复位 = 00006000h]
58hIOCFG22DIO22 的配置IOCFG22 寄存器（偏移 = 58h）[复位 = 00006000h]
5ChIOCFG23DIO23 的配置IOCFG23 寄存器（偏移 = 5Ch）[复位 = 00006000h]
60hIOCFG24DIO24 的配置IOCFG24 寄存器（偏移 = 60h）[复位 = 00006000h]
64hIOCFG25DIO25 的配置IOCFG25 寄存器（偏移 = 64h）[复位 = 00006000h]
68hIOCFG26DIO26 的配置IOCFG26 寄存器（偏移 = 68h）[复位 = 00006000h]
6ChIOCFG27DIO27 的配置IOCFG27 寄存器（偏移 = 6Ch）[复位 = 00006000h]
70hIOCFG28DIO28 的配置IOCFG28 寄存器（偏移 = 70h）[复位 = 00006000h]
74hIOCFG29DIO29 的配置IOCFG29 寄存器（偏移 = 74h）[复位 = 00006000h]
78hIOCFG30DIO30 的配置IOCFG30 寄存器（偏移 = 78h）[复位 = 00006000h]
7ChIOCFG31DIO31 的配置IOCFG31 寄存器（偏移 = 7Ch）[复位 = 00006000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 14-29 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 14-29 IOC 访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
复位或默认值
-n复位后的值或默认值

14.10.3.1 IOCFG0 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = 00006000h]

图 14-23 展示了 IOCFG0，表 14-30 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO0 的配置

图 14-23 IOCFG0 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-30 IOCFG0 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR：开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO0 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.2 IOCFG1 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 00006000h]

图 14-24 展示了 IOCFG1，表 14-31 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO1 的配置

图 14-24 IOCFG1 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-31 IOCFG1 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO1 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.3 IOCFG2 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = 00006000h]

图 14-25 展示了 IOCFG2，表 14-32 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO2 的配置

图 14-25 IOCFG2 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-32 IOCFG2 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO2 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.4 IOCFG3 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-26 展示了 IOCFG3，表 14-33 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO3 的配置

图 14-26 IOCFG3 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-33 IOCFG3 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO3 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.5 IOCFG4 寄存器（偏移 = 10h）[复位 = 00006000h]

图 14-27 展示了 IOCFG4，表 14-34 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO4 的配置

图 14-27 IOCFG4 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-34 IOCFG4 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO4 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.6 IOCFG5 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = 00006000h]

图 14-28 展示了 IOCFG5，表 14-35 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO5 的配置

图 14-28 IOCFG5 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-35 IOCFG5 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO5 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.7 IOCFG6 寄存器（偏移 = 18h）[复位 = 00006000h]

图 14-29 展示了 IOCFG6，表 14-36 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO6 的配置

图 14-29 IOCFG6 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-36 IOCFG6 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO6 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.8 IOCFG7 寄存器（偏移 = 1Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-30 展示了 IOCFG7，表 14-37 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO7 的配置

图 14-30 IOCFG7 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-37 IOCFG7 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO7 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.9 IOCFG8 寄存器（偏移 = 20h）[复位 = 00006000h]

图 14-31 展示了 IOCFG8，表 14-38 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO8 的配置

图 14-31 IOCFG8 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-38 IOCFG8 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO8 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.10 IOCFG9 寄存器（偏移 = 24h）[复位 = 00006000h]

图 14-32 展示了 IOCFG9，表 14-39 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO9 的配置

图 14-32 IOCFG9 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-39 IOCFG9 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO9 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.11 IOCFG10 寄存器（偏移 = 28h）[复位 = 00006000h]

图 14-33 展示了 IOCFG10，表 14-40 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO10 的配置

图 14-33 IOCFG10 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-40 IOCFG10 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO10 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.12 IOCFG11 寄存器（偏移 = 2Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-34 展示了 IOCFG11，表 14-41 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO11 的配置

图 14-34 IOCFG11 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-41 IOCFG11 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO11 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.13 IOCFG12 寄存器（偏移 = 30h）[复位 = 00006000h]

图 14-35 展示了 IOCFG12，表 14-42 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO12 的配置

图 14-35 IOCFG12 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-42 IOCFG12 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO12 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.14 IOCFG13 寄存器（偏移 = 34h）[复位 = 00006000h]

图 14-36 展示了 IOCFG13，表 14-43 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO13 的配置

图 14-36 IOCFG13 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-43 IOCFG13 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO13 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.15 IOCFG14 寄存器（偏移 = 38h）[复位 = 00006000h]

图 14-37 展示了 IOCFG14，表 14-44 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO14 的配置

图 14-37 IOCFG14 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-44 IOCFG14 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO14 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.16 IOCFG15 寄存器（偏移 = 3Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-38 展示了 IOCFG15，表 14-45 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO15 的配置

图 14-38 IOCFG15 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-45 IOCFG15 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO15 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.17 IOCFG16 寄存器（偏移 = 40h）[复位 = 00086000h]

图 14-39 展示了 IOCFG16，表 14-46 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO16 的配置

图 14-39 IOCFG16 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-46 IOCFG16 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO16 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.18 IOCFG17 寄存器（偏移 = 44h）[复位 = 00106000h]

图 14-40 展示了 IOCFG17，表 14-47 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO17 的配置

图 14-40 IOCFG17 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-47 IOCFG17 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO17 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.19 IOCFG18 寄存器（偏移 = 48h）[复位 = 00006000h]

图 14-41 展示了 IOCFG18，表 14-48 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO18 的配置

图 14-41 IOCFG18 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-48 IOCFG18 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO18 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.20 IOCFG19 寄存器（偏移 = 4Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-42 展示了 IOCFG19，表 14-49 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO19 的配置

图 14-42 IOCFG19 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-49 IOCFG19 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO19 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.21 IOCFG20 寄存器（偏移 = 50h）[复位 = 00006000h]

图 14-43 展示了 IOCFG20，表 14-50 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO20 的配置

图 14-43 IOCFG20 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-50 IOCFG20 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO20 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.22 IOCFG21 寄存器（偏移 = 54h）[复位 = 00006000h]

图 14-44 展示了 IOCFG21，表 14-51 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO21 的配置

图 14-44 IOCFG21 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-51 IOCFG21 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO21 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.23 IOCFG22 寄存器（偏移 = 58h）[复位 = 00006000h]

图 14-45 展示了 IOCFG22，表 14-52 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO22 的配置

图 14-45 IOCFG22 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-52 IOCFG22 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO22 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.24 IOCFG23 寄存器（偏移 = 5Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-46 展示了 IOCFG23，表 14-53 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO23 的配置

图 14-46 IOCFG23 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-53 IOCFG23 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO23 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.25 IOCFG24 寄存器（偏移 = 60h）[复位 = 00006000h]

图 14-47 展示了 IOCFG24，表 14-54 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO24 的配置

图 14-47 IOCFG24 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-54 IOCFG24 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO24 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.26 IOCFG25 寄存器（偏移 = 64h）[复位 = 00006000h]

图 14-48 展示了 IOCFG25，表 14-55 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO25 的配置

图 14-48 IOCFG25 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-55 IOCFG25 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO25 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.27 IOCFG26 寄存器（偏移 = 68h）[复位 = 00006000h]

图 14-49 展示了 IOCFG26，表 14-56 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO26 的配置

图 14-49 IOCFG26 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-56 IOCFG26 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO26 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.28 IOCFG27 寄存器（偏移 = 6Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-50 展示了 IOCFG27，表 14-57 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO27 的配置

图 14-50 IOCFG27 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-57 IOCFG27 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO27 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.29 IOCFG28 寄存器（偏移 = 70h）[复位 = 00006000h]

图 14-51 展示了 IOCFG28，表 14-58 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO28 的配置

图 14-51 IOCFG28 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-58 IOCFG28 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO28 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.30 IOCFG29 寄存器（偏移 = 74h）[复位 = 00006000h]

图 14-52 展示了 IOCFG29，表 14-59 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO29 的配置

图 14-52 IOCFG29 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-59 IOCFG29 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO29 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.31 IOCFG30 寄存器（偏移 = 78h）[复位 = 00006000h]

图 14-53 展示了 IOCFG30，表 14-60 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO30 的配置

图 14-53 IOCFG30 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-60 IOCFG30 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV： 反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO30 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h =通用 IO
7h = AON 32 KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX：SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入

14.10.3.32 IOCFG31 寄存器（偏移 = 7Ch）[复位 = 00006000h]

图 14-54 展示了 IOCFG31，表 14-61 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

DIO31 的配置

图 14-54 IOCFG31 寄存器
3130292827262524
RESERVEDHYST_ENIEWU_CFGIOMODE
R-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
2322212019181716
IOEV_AON_PROG2_ENIOEV_AON_PROG1_ENIOEV_AON_PROG0_ENRESERVEDEDGE_IRQ_ENEDGE_DET
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0h
15141312111098
RESERVEDPULL_CTLSLEW_REDIOCURRIOSTR
R-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
IOEV_RTC_ENIOEV_MCU_WU_ENPORT_ID
R/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 14-61 IOCFG31 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
31RESERVEDR0h保留
30HYST_ENR/W0h0：输入迟滞禁用
1：输入迟滞使能
29IER/W0h0：输入禁用
1：输入使能
注意：如果 IO 配置为 AUX PORT_ID = 0x08，则使能将被忽略。
28-27WU_CFGR/W0h如果 DIO 配置为 GPIO 或非 AON 外设信号（PORT_ID 0x00 或 >0x08）：
00：无唤醒
01：无唤醒
10：如果该焊盘变为低电平，则从关断状态唤醒。
11：如果该焊盘变为高电平，则从关断状态唤醒。
如果 IO 配置为 AON 外设信号或 AUX PORT_ID 0x01-0x08，则该寄存器仅设置是否使能唤醒。
00、01：唤醒禁用
10、11：唤醒使能
极性通过 AON 寄存器进行控制。
注意：当 MSB 置位时，IOC 将停用 DIO 的输出使能。
26-24IOMODER/W0hIO 模式
不适用于配置为 AON 外设信号和 AUX PORT_ID 0x01-0x08 的 IO
AUX 有自己的 open_source/drain 配置。
0x2: 保留。未定义的行为。
0x3：保留。未定义的行为。
0h = NORMAL：正常输入/输出
1h = INV：反相输入/输出
4h = OPENDR： 开漏，
正常输入/输出
5h = OPENDR_INV：开漏
反相输入/输出
6h = OPENSRC：开源
正常输入/输出
7h = OPENSRC_INV：开源
反相输入/输出
23IOEV_AON_PROG2_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG2 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG2 事件置为有效
22IOEV_AON_PROG1_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG1 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG1 事件置为有效
21IOEV_AON_PROG0_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 AON_PROG0 事件置为有效
1：输入边沿检测将 AON_PROG0 事件置为有效
20-19RESERVEDR0h保留
18EDGE_IRQ_ENR/W0h0：无中断生成
1：使能该 IO 的中断生成（仅在 EDGE_DET 已使能时有效）
17-16EDGE_DETR/W0h使能该 IO 上的边沿检测事件生成
0h = NONE：无边沿检测
1h = 负边沿检测
2h = 正边沿检测
3h = 正负边沿检测
15RESERVEDR0h保留
14-13PULL_CTLR/W3h上拉/下拉控制
1h = DWN：下拉
2h = UP：上拉
3h = DIS：无上拉/下拉
12SLEW_REDR/W0h0：标称压摆率
1：在输出驱动器中降低压摆率。
11-10IOCURRR/W0h选择该 IO 的 IO 电流模式。
0h = 2MA：低电流 (LC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 2mA
1h = 4MA：高电流 (HC) 模式：IOSTR 设置为 AUTO 时最小值为 4mA
2h = 4_8MA：扩展电流 (EC) 模式：当 IOSTR 设为 AUTO 时，双驱动强度 IO 的最小值为 8mA（标准 IO 的最小值为 4mA）
9-8IOSTRR/W0h选择该 IO 的驱动强度控制源。
此设置控制低电流 (LC) 模式的驱动强度。可在 IOCURR 中选择更高的驱动强度
0h = 自动驱动强度，由 AON BATMON 根据电池电压控制。（VDDS 时最小 2mA）
1h = 最小驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMIN 控制（默认值为 3.3V 时最小 2mA）
2h = MED：中等驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMED 控制（默认值为 2.5V 时最小 2mA）
3h = 最大驱动强度，由 AON_IOC:IOSTRMAX 控制（默认值为 1.8V 时最小 2mA）
7IOEV_RTC_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 RTC 事件置为有效
1：输入边沿检测将 RTC 事件置为有效
6IOEV_MCU_WU_ENR/W0h使能边沿检测时，此 IO 置为有效的事件
0：输入边沿检测不会将 MCU_WU 事件置为有效
1：输入边沿检测将 MCU_WU 事件置为有效
5-0PORT_IDR/W0h选择 DIO31 的用途
注意：除明确要求更改 PORT_ID 值的情况外，不应写入此字段。
0h = 通用 IO
注意：SIP 模块不支持此功能。有关更多详情，请参阅器件特定数据表。
7h = AON 32KHz 时钟 (SCLK_LF)
8h = AUX IO
9h = SSI0_RX： SSI0 RX
Ah = SSI0_TX：SSI0 TX
Bh = SSI0_FSS：SSI0 FSS
Ch = SSI0_CLK：SSI0 CLK
Dh = I2C_MSSDA：I2C 数据
Eh = I2C_MSSCL：I2C 时钟
Fh = UART0_RX：UART0 RX
10h = UART0_TX：UART0 TX
11h = UART0_CTS：UART0 CTS
12h = UART0_RTS：UART0 RTS
13h = UART1_RX：UART1 RX
14h = UART1_TX：UART1 TX
15h = UART1_CTS：UART1 CTS
16h = UART1_RTS：UART1 RTS
17h = PORT_EVENT0：端口事件 0
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
18h = PORT_EVENT1： 端口事件 1
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
19h = PORT_EVENT2： 端口事件 2
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ah = PORT_EVENT3： 端口事件 3
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Bh = PORT_EVENT4： 端口事件 4
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Ch = PORT_EVENT5： 端口事件 5
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Dh = PORT_EVENT6： 端口事件 6
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
1Eh = PORT_EVENT7： 端口事件 7
通过 EVENT 模块中的寄存器进行选择（例如 EVENT:GPT0ACAPTSEL.EV、EVENT:UDMACH14BSEL.EV 等），可用作通用 IO 事件
20h = CPU_SWV： CPU SWV
21h = SSI1_RX：SSI1 RX
22h = SSI1_TX：SSI1 TX
23h = SSI1_FSS：SSI1 FSS
24h = SSI1_CLK：SSI1 CLK
25h = I2S_AD0：I2S 数据 0
26h = I2S_AD1： I2S 数据 1
27h = I2S_WCLK： I2S WCLK
28h = I2S_BCLK：I2S BCLK
29h = I2S_MCLK：I2S MCLK
2Eh = 射频内核跟踪
2Fh = 射频内核数据输出 0
30h = 射频内核数据输出 1
31h = 射频内核数据输出 2
32h = 射频内核数据输出 3
33h = 射频内核数据输入 0
34h = 射频内核数据输入 1
35h = 射频内核 SMI 数据链路输出
36h = 射频内核 SMI 数据链路输入
37h = 射频内核 SMI 命令链路输出
38h = 射频内核 SMI 命令链路输入