ZHCU677C June 2019 – July 2022
UCC21530 用于驱动功率级的 SiC MOSFET。该器件是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。UCC21530 旨在驱动频率高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有 19ns 的出色传输延迟和 5ns 的脉宽失真。输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许工作电压高达 1850V 。该器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。
有关该器件的更多详细信息,请参阅 UCC21530 产品页面。