产品详细信息

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK,后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能(高电平有效)功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
TI.com 無法提供
仿真模型

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDA-010210 — 基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计

此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率,不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸,还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流总线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗,从而使峰值效率达到 98.5%。
参考设计

TIDA-010054 — TIDA-010054

该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少器件数量和高效等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益,是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器,实现高功率吞吐量和双向运行模式,从而支持电池充电和放电应用。
参考设计

TIDA-00366 — 具有电流、电压和温度保护的增强型隔离式三相逆变器参考设计

此参考设计提供了额定功率最高 10kW 的三相逆变器,该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过配合使用 AMC1301 与 MCU 的内部 ADC 来测量电机电流,以及为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源,可以实现更低的系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流总线欠压/过压和 IGBT 模块过热的保护功能。
封装 引脚数 下载
SOIC (DWK) 14 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频