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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Enable Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)

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描述

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

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技术文档

= TI 精选相关文档
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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 具有 3.3mm 通道到通道间距的 UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2019年 11月 14日
更多文献资料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
更多文献资料 CSA Product Certificate 2019年 8月 15日
技术文章 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations 2019年 8月 6日
更多文献资料 UCC21520 UL Certification 2019年 7月 22日
用户指南 Using the UCC21520EVM-286, UCC20520EVM-286 and UCC21521CEVM-286 2018年 11月 27日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
49
说明
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK,后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能(高电平有效)功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
特性
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 5.7kVrms 增强型隔离
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装,次级侧通道之间具有 3.3mm 间隙

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
仿真工具 下载
PSPICE® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
特性
  • 利用 Cadence PSpice 技术
  • 带有一套数字模型的预装库可在最坏情形下进行时序分析
  • 动态更新确保您可以使用全新的器件型号
  • 针对仿真速度进行了优化,且不会降低精度
  • 支持对多个产品进行同步分析
  • 基于 OrCAD Capture 框架,提供对业界广泛使用的原理图捕获和仿真环境的访问权限
  • 可离线使用
  • 在各种工作条件和器件容许范围内验证设计,包括
    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
    • 热分析

参考设计

参考设计 下载
TIDA-010054
TIDA-010054 — 该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少器件数量和高效等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益,是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器,实现高功率吞吐量和双向运行模式,从而支持电池充电和放电应用。
document-generic 原理图
参考设计 下载
具有电流、电压和温度保护的增强型隔离式三相逆变器参考设计
TIDA-00366 此设计为额定功率高达 10kW 的三相逆变器提供了参考解决方案,该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过配合使用 AMC1301 与 MCU 的内部 ADC 来测量电机电流,以及为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源,可以实现更低的系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流总线欠压/过压和 IGBT 模块过温的保护功能。
document-generic 原理图

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOIC (DWK) 14 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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