ZHCU677C June 2019 – July 2022
图 3-1 显示了单相双有源电桥的功率级。初级侧由 1200V、16mΩ 碳化硅 FET C3M0016120K(C3M0075120K 可作为替代器件)组成,以阻止 800V 的直流电压,而次级侧由 900V、30mΩ 碳化硅 FET C3M0030090K 组成,以阻止 500V 的直流电压。全桥与高频开关变压器 (T1) 连接。标记 DNP 的元件未组装在电路板上。这些是 MOSFET 的输出电容,可以选择性地使用这些元件以减少关断开关损耗。