ZHCU677C
June 2019 – July 2022
说明
资源
特性
应用
5
1
系统说明
1.1
关键系统规格
2
系统概述
2.1
方框图
2.2
重点产品
2.2.1
UCC21530
2.2.2
AMC1311
2.2.3
AMC3302
2.2.4
AMC3306M05
2.2.5
LM76003
2.2.6
LMZ31707
2.2.7
OPA320
2.2.8
ISO7721
2.2.9
SN6501
2.2.10
SN6505B
2.2.11
TMP235
2.2.12
LMT87
2.2.13
TL431
2.2.14
LMV762
2.2.15
TMS320F280049 C2000 MCU
2.2.16
TMDSCNCD280049C
2.3
系统设计原理
2.3.1
具有电源系统的双有源电桥模拟
2.3.2
双有源电桥 - 开关序列
2.3.3
双有源电桥 - 零电压开关 (ZVS)
2.3.4
双有源电桥 - 设计注意事项
2.3.4.1
漏电感器
2.3.4.2
电感对电流的影响
2.3.4.3
移相
2.3.4.4
电容器选型
2.3.4.5
软开关范围
2.3.4.6
开关频率
2.3.4.7
变压器选型
2.3.4.8
SiC MOSFET 选型
2.3.5
损耗分析
2.3.5.1
设计方程式
2.3.5.2
SiC MOSFET 和二极管损耗
2.3.5.3
变压器损耗
2.3.5.4
电感器损耗
2.3.5.5
栅极驱动器损耗
2.3.5.6
效率
2.3.5.7
散热注意事项
3
电路说明
3.1
功率级
3.2
直流电压检测
3.2.1
初级侧直流电压检测
3.2.2
次级侧直流电压检测
3.3
电流检测
3.4
功率结构
3.4.1
辅助电源
3.4.2
检测电路的隔离式电源
3.5
栅极驱动器
3.5.1
栅极驱动器电路
3.5.2
栅极驱动器偏置电源
3.5.3
栅极驱动器分立式电路 - 短路检测和两级关断
4
硬件、软件、测试要求和测试结果
4.1
所需的硬件和软件
4.1.1
硬件
4.1.2
软件
4.1.2.1
软件入门
4.1.2.2
引脚配置
4.1.2.3
PWM 配置
4.1.2.4
高分辨率相移配置
4.1.2.5
ADC 配置
4.1.2.6
ISR 结构
4.2
测试设置
4.3
PowerSUITE GUI
4.4
实验
4.4.1
实验 1
4.4.2
实验 2
4.4.3
实验 3
4.4.4
实验 4
4.4.5
实验 5
4.5
测试结果
4.5.1
开环性能
4.5.2
闭环性能
5
设计文件
5.1
原理图
5.2
物料清单
5.3
PCB 布局建议
5.3.1
布局图
5.4
Altium 项目
5.5
Gerber 文件
5.6
装配图
6
相关文档
6.1
商标
7
术语
8
作者简介
9
修订历史记录
特性
单步相移 DAB
用于驱动半桥配置中的 SiC MOSFET 且具有增强型隔离功能的双通道 UCC21530
用于实现数字控制的 TMS320F280049 控制器
隔离式电压和电流检测
最大功率输出为 10kW
功率为 6kW 时的满载效率为 97.6%,峰值效率为 98.2%
高功率密度为 2.32kW/L
初级电压为直流 700V 至 800V,次级电压为直流 380V 至 500V
用于短路保护的两级关断,具有可调的电流限制和延迟(消隐)时间
PWM 开关频率为 100kHz,并通过平面磁性元件减小变压器尺寸
无需辅助组件即可实现软开关