ZHCU677C June 2019 – July 2022
栅极驱动器电路中的功率损耗包括 UCC21530 中的损耗和栅极电阻器等外围电路中的损耗。功率损耗由静态功率损耗组成,其中包含驱动器在一定开关频率下工作时的静态功率损耗以及驱动器的自身功耗。输入 Vcc1 引脚的静态电流值 (Ivcc1)、输入 VDDA 引脚的静态电流值 (IDDA) 和输入 VDDB 引脚的静态电流值 (IDDB) 均能从数据表中获得。
通过将数据表中的值代入Equation33,可以得到栅极驱动器的静态功率损耗 Pstatic 约为 70mW。栅极驱动器损耗的另一分量是开关操作损耗。
通过将 VDD = 15V、VSS = –4V、FSW = 100kHz 且 QG = 211nC 这些值代入Equation34,可以得出开关损耗为 0.8W。C3M0016120K(初级侧 MOSFET)的栅极电荷从数据表中获得。同样,对于次级侧,计算出的开关损耗约为 0.33W。C3M0030090K MOSFET 的栅极电荷 QG 为 87nC,并从数据表中获得。另外,在 MOSFET 的导通和关断期间,栅极电阻器上会产生损耗。导通和关断栅极电阻分别为 5.11Ω 和 1Ω。选择这些电阻器是为了抑制栅极上的振荡。在开关过程,栅极驱动器 IC 能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。利用此电流脉冲在一个开关周期内的平均值,可以通过Equation35 得出栅极电阻器上产生的导通损耗和关断损耗。
该值在一个开关上为 0.5W。因此,四个栅极驱动器卡上产生的总损耗为 10W。