ZHCUB31E november 2013 – june 2023
点击“Trigger Option”将打开一个如图 3-10 所示的新面板。该选项不适用于 TSW1405/06。GUI 提供了四个使用触发功能采集数据的选项。选中 Trigger mode enable 将布防 TSW14xxx 以接受外部触发。
选中这两个启用选项后,GUI 主面板上的采集按钮现在从“Capture”更改为“Generate Trigger”。当用户点击该按钮时,GUI 会向 TSW1400 上标记为 SYNC1、SYNC2、SYNC3 和 SYNC4 的四个 SMA 连接器发送一个 CMOS 逻辑电平 (1.8VDC) 高电平有效脉冲。在 TSW14J5x 上,这些连接器标记为 TRIG_OUT_A、TRIG_OUT_B 和 TRIG_OUT_C。这一信号可用于触发其他 TSW14xxx EVM 或同一 TSW14xxx。要使用该上升沿触发相同的 TSW14xxx,用户必须将一根电缆从 TSW1400 上标记为“EXT_TRG_INPUT”SMA (J11) 的 SMA(TSW14J5x 上为“TRIG_IN”SMA J13)连接到其中一个 SYNC (TRG_OUT) SMA。如果没有进行该连接,GUI 将始终检测不到触发,并在用户点击“Generate Trigger”按钮后短时间内显示“No trigger occurred”。检测到触发后,GUI 将执行采集。
另一个触发选项是使用外部触发源。要使用该模式,只需选中“Trigger mode enable”。选择该模式后,位于 GUI 主屏幕底部的状态按钮将以黄色显示“TRIGGER ARMED”,而采集按钮将显示“Read DDR Memory”。软件现在正在等待“EXT_TRG_INPUT”(TRG_IN) 输入 SMA 上发生 CMOS 逻辑低电平到高电平的转换。一旦发生这种转换,就会进行数据采集。用户现在将点击“Read DDR Memory”按钮以显示采集的数据。如果用户在发生触发前点击该按钮,稍后便会出现“No trigger occurred”消息。如果外部触发是连续事件,则在用户点击“Read DDR Memory”之前,GUI 不会执行新的采集。这使得软件显示第一个触发事件的结果,并在外部触发输入的下一个上升沿向存储器重新加载新数据。
另一个触发选项需要选中“Trigger mode enable”和“Arm on next capture button press”两个选项。如果选中了这两个选项,软件将仅在用户点击“Capture”按钮后在 EXT_TRG_INPUT/TRIG_IN 连接器上检测到的下一个上升沿执行采集。如果有多个触发脉冲到达,但用户在特定时间之后才希望触发,该模式将非常有用。如果在点击“Capture”后大约 12 秒内未检测到触发,软件将超时并报告未检测到触发。
当使用触发采集模式时,用户可以选择在采集实际开始后采集固定数量的样本数据。这对于具有“高分辨率突发模式”的器件非常有用,在该模式下,需要几个时钟周期等待有效样本出现。该延迟时间由“Trigger CLK Delays”框中输入的值决定。默认值是“0”。用户可以输入 0–7 之间的值,其对应的采样延迟如表 3-1 所示。请注意,该延迟还取决于采集的通道数。例如,如果用户选择触发延迟“2”并从 2 个通道采集数据,则在 GUI 检测到触发后会开始数据采集。但是,在该延迟设置下,GUI 使用的第一个数据样本将是发生触发后来自 ADC 的第 81 个样本。
另一个触发选项需要选中“Trigger mode enable”和“Auto Re-Arm Trigger”两个选项。选中这两个选项后,TSW14xxx EVM 将采集配置的样本量(在“Capture Option”中配置的“# of samples per channel”值)。对于每个触发脉冲(在“EXT_TRG_INPUT”(对于 TSW14J5x 为 TRIG_IN)SMA 上发生的 CMOS 逻辑低电平到高电平转换),在 DDR 存储器中会累积采集的样本,直到定义的“Number of Triggers”数完成。
使用该采集模式时,位于 GUI 主屏幕底部的状态按钮将以黄色显示“TRIGGER ARMED”,而采集按钮将显示“Show Trigger Status”。点击“Show Trigger Status”按钮将打开一个弹出窗口,显示触发操作的状态,包括“Number of Triggers Occurred”和“% of DDR Filled”值。点击“Stop and Exit”按钮可停止当前的采集操作,而不读取采集的样本。点击“Stop and Read the DDR Memory”按钮可停止当前的采集操作并从 DDR 读取采集的样本。在配置的“Number of Triggers”完成且填充了所需的 DDR 数量后,“Stop and Read the DDR Memory”按钮将显示“Read DDR Memory”,点击该按钮可从 DDR 读取采集的样本。
对于 DAC 模式,选中这两个启用选项后,GUI 主面板上的发送按钮现在从“Send”更改为“Generate Trigger”。点击该按钮时,GUI 会向 TSW1400 上的四个 SYNC SMA 和 TSW14J5x 上的三个 TRIG_OUT SMA 发送 CMOS 逻辑高电平 (3VDC)。这一信号可以触发其他 TSW14xxx EVM 或同一 TSW14xxx。必须将一根电缆从“EXT_TRG_INPUT”(对于 TSW14J5x 为 TRIG_IN)SMA 连接到其中一个 SYNC(对于 TSW14J5x 为 TRIG_OUT)SMA,才能使用该上升沿触发同一 TSW14xxx。如果没有进行该连接,GUI 始终不会从存储器发送数据。
触发延迟 | 每个通道跳过的样本数 | |||
---|---|---|---|---|
1 通道 | 2 通道 | 4 通道 | 8 通道 | |
1 | 80 | 40 | 20 | 10 |
2 | 160 | 80 | 40 | 20 |
3 | 240 | 120 | 60 | 30 |
4 | 320 | 160 | 80 | 40 |
5 | 400 | 200 | 100 | 50 |
6 | 480 | 240 | 120 | 60 |
7 | 560 | 280 | 140 | 70 |
另一个触发选项需要选中“Trigger mode enable”和“Auto Re-Arm Trigger”两个选项。选中这两个选项后,TSW14xxx EVM 将为每个触发脉冲(在“EXT_TRG_INPUT”(对于 TSW14J5x 为 TRIG_IN)SMA 上发生的 CMOS 逻辑低电平到高电平转换)采集配置的样本量(在“Capture Option”中配置的“# of samples per channel”值),并在 DDR 存储器中累积采集的样本,直到定义的“Number of Triggers”数完成。
使用该采集模式时,位于 GUI 主屏幕底部的状态按钮将以黄色显示“TRIGGER ARMED”,而采集按钮将显示“Show Trigger Status”。点击“Show Trigger Status”按钮将打开一个弹出窗口,显示触发操作的状态,包括“Number of Triggers Occurred”和“% of DDR Filled”值。点击“Stop and Exit”按钮可停止当前的采集操作,而不读取采集的样本。点击“Stop and Read the DDR Memory”按钮可停止当前的采集操作并从 DDR 读取采集的样本。在配置的“Number of Triggers”完成且填充了所需的 DDR 数量后,“Stop and Read the DDR Memory”按钮将显示“Read DDR Memory”,点击该按钮可从 DDR 读取采集的样本。
对于 DAC 的“Auto Re-Arm Trigger”模式,当电路板在“EXT_TRG_INPUT”(对于 TSW14J5x 为 TRIG_IN)SMA 上接收到触发信号时,起始索引中的样本将从 FPGA 发送到 DAC。