ZHCSJ15C November   2018  – March 2025 ADC12DJ3200QML-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：直流规格
    6. 5.6  电气特性：功耗
    7. 5.7  电气特性：交流规格（双通道模式）
    8. 5.8  电气特性：交流规格（单通道模式）
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 时序图
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 模拟输入
        1. 6.3.1.1 模拟输入保护
        2. 6.3.1.2 满量程电压 (VFS) 调整
        3. 6.3.1.3 模拟输入失调电压调整
      2. 6.3.2 ADC 内核
        1. 6.3.2.1 ADC 工作原理
        2. 6.3.2.2 ADC 内核校准
        3. 6.3.2.3 ADC 超范围检测
        4. 6.3.2.4 误码率 (CER)
      3. 6.3.3 时间戳
      4. 6.3.4 时钟
        1. 6.3.4.1 无噪声孔径延迟调节（tAD 调节）
        2. 6.3.4.2 孔径延迟斜坡控制 (TAD_RAMP)
        3. 6.3.4.3 用于多器件同步和确定性延迟的 SYSREF 采集
          1. 6.3.4.3.1 SYSREF 位置检测器和采样位置选择（SYSREF 窗口）
          2. 6.3.4.3.2 自动 SYSREF 校准
      5. 6.3.5 数字下变频器（仅限双通道模式）
        1. 6.3.5.1 数控振荡器和复频混频器
          1. 6.3.5.1.1 NCO 快速跳频 (FFH)
          2. 6.3.5.1.2 NCO 选择
          3. 6.3.5.1.3 基本 NCO 频率设置模式
          4. 6.3.5.1.4 合理 NCO 频率设置模式
          5. 6.3.5.1.5 NCO 相位偏移设置
          6. 6.3.5.1.6 NCO 相位同步
        2. 6.3.5.2 抽取滤波器
        3. 6.3.5.3 输出数据格式
        4. 6.3.5.4 抽取设置
          1. 6.3.5.4.1 抽取因子
          2. 6.3.5.4.2 DDC 增益提升
      6. 6.3.6 JESD204B 接口
        1. 6.3.6.1 传输层
        2. 6.3.6.2 扰频器
        3. 6.3.6.3 链路层
          1. 6.3.6.3.1 代码组同步 (CGS)
          2. 6.3.6.3.2 初始通道对齐序列 (ILAS)
          3. 6.3.6.3.3 8b、10b 编码
          4. 6.3.6.3.4 帧和多帧监控
        4. 6.3.6.4 物理层
          1. 6.3.6.4.1 串行器/解串器预加重功能
        5. 6.3.6.5 JESD204B 启用
        6. 6.3.6.6 多器件同步和确定性延迟
        7. 6.3.6.7 在子类 0 系统中运行
      7. 6.3.7 报警监控
        1. 6.3.7.1 NCO 翻转检测
        2. 6.3.7.2 时钟翻转检测
      8. 6.3.8 温度监测二极管
      9. 6.3.9 模拟基准电压
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 双通道模式
      2. 6.4.2 单通道模式（DES 模式）
      3. 6.4.3 JESD204B 模式
        1. 6.4.3.1 JESD204B 输出数据格式
        2. 6.4.3.2 双 DDC 和冗余数据模式
      4. 6.4.4 断电模式
      5. 6.4.5 测试模式
        1. 6.4.5.1 串行器测试模式详细信息
        2. 6.4.5.2 PRBS 测试模式
        3. 6.4.5.3 斜坡测试模式
        4. 6.4.5.4 近程和远程传输测试模式
          1. 6.4.5.4.1 近程传输测试模式
          2. 6.4.5.4.2 远程传输测试模式
        5. 6.4.5.5 D21.5 测试模式
        6. 6.4.5.6 K28.5 测试模式
        7. 6.4.5.7 重复 ILA 测试模式
        8. 6.4.5.8 修改的 RPAT 测试模式
      6. 6.4.6 校准模式和修整
        1. 6.4.6.1 前台校准模式
        2. 6.4.6.2 后台校准模式
        3. 6.4.6.3 低功耗后台校准 (LPBG) 模式
      7. 6.4.7 偏移校准
      8. 6.4.8 修整
      9. 6.4.9 偏移滤波
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 使用串行接口
        1. 6.5.1.1 SCS
        2. 6.5.1.2 SCLK
        3. 6.5.1.3 SDI
        4. 6.5.1.4 SDO
        5. 6.5.1.5 流模式
    6. 6.6 寄存器映射
      1. 6.6.1 寄存器说明
      2. 6.6.2 SYSREF 校准寄存器（0x2B0 至 0x2BF）
      3. 6.6.3 警报寄存器 (0x2C0至0x2C2)
  8. 7 应用信息免责声明
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 模拟输入
      2. 7.1.2 模拟输入带宽
      3. 7.1.3 时钟
      4. 7.1.4 辐射环境建议
        1. 7.1.4.1 单粒子闩锁 (SEL)
        2. 7.1.4.2 单粒子功能中断 (SEFI)
        3. 7.1.4.3 单粒子翻转 (SEU)
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 射频输入信号路径
        2. 7.2.2.2 计算交流耦合电容的值
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 初始化设置
    4.     电源相关建议
      1. 7.4.1 电源时序
    5. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 第三方产品免责声明
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • NWE|196
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.3 建议运行条件

在工作温度范围内（除非另有说明）
最小值标称值最大值单位
VDD电源电压范围VA19、1.9V 模拟电源(2)1.81.92V
VA11、1.1V 模拟电源(2)1.051.11.15
VD11、1.1V 数字电源(3)1.051.11.15
VCMI输入共模电压INA+、INA–、INB+、INB–(2)-500100mV
CLK+、CLK-、SYSREF+、SYSREF-(2)(4)00.30.55V
TMSTP+、TMSTP–(3)(5)00.30.55
VID输入电压、差分峰峰值电压CLK+ 至 CLK–、SYSREF+ 至 SYSREF–、TMSTP+ 至 TMSTP–0.41.02.0VPP-DIFF
INA+ 至 INA–，INB+ 至 INB–1(6)
VIH高电平输入电压CALTRIG、NCOA0、NCOA1、NCOB0、NCOB1、PD、SCLK、SCS、SDI、SYNCSE(2)0.7V
VIL低电平输入电压CALTRIG、NCOA0、NCOA1、NCOB0、NCOB1、PD、SCLK、SCS、SDI、SYNCSE(2)0.45V
IC_TD温度二极管输入电流TDIODE+ 至 TDIODE–100µA
CLBG 最大负载电容100pF
IOBG 最大输出电流100µA
DC输入时钟占空比30%50%70%
TA自然通风条件下的工作温度范围-55°C
Tj工作结温125(1)°C
(1) 芯片设计用于在 TJ = 150°C 下运行，并在 TJ = 125°C 时使器件和芯片金属化降级高达 150,000 POH 连续运行
(2) 测量至 AGND。
(3) 测量至 DGND。
(4) TI 强烈建议对 CLK± 进行交流耦合，并将 DEVCLK_LVPECL_EN 设置为 0，以使 CLK± 自偏置到最佳输入共模电压，从而实现最高性能。TI 建议对 SYSREF± 进行交流耦合，除非需要直流耦合，在这种情况下，必须使用 LVPECL 输入模式 (SYSREF_LVPECL_EN = 1)。
(5) 无论是 TMSTP_LVPECL_EN=0 时的交流耦合，还是 TMSTP_LVPECL_EN=1 时的直流耦合，TMSTP± 都没有内部偏置，需要从外部对 TMSTP± 进行偏置。
(6) 当 INA± 或 INB± 的 VID 超出由 INA± 的 FS_RANGE_A 或 INB± 的 FS_RANGE_B 设置的编程满量程电压 (V FS) 时，ADC 输出代码将饱和。