ZHCAEV4C November 2024 – September 2025 AM62A1-Q1 , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62D-Q1
建议在靠近存储器 (LPDDR4) 器件处为 DDR0_RESET0_n (LPDDR4_RESET_N) 添加下拉电阻 (10kΩ)。可选择在该下拉电阻两端并联滤波电容器(47pF 或类似容值)。
建议按照处理器特定数据表或 SK/EVM 原理图的推荐方案,连接以下推荐的电阻:DDR0_CAL0(IO 焊盘校准电阻,需靠近处理器校准引脚)、ODT_CA_A 与 ODT_CA_B(SK/EVM 采用 2.2kΩ,用于芯片选择信号 n (n = 0-1) 的 DDRSS 片上终端,需靠近存储器 (LPDDR4) 器件),以及 ZQn(存储器件校准参考电阻,n = 0-1,需靠近存储器 (LPDDR4) 器件)。