建议添加一个串联电阻（其值取决于具体用例，并需根据处理器特定数据表来限制电流）。当消耗（需要）更高电流（高于处理器特定数据表中规定的值）的负载连接到处理器 GPIO 时，建议在连接负载之前先对处理器 IO 进行缓冲处理。
通用处理器 LVCMOS IO 接口指南：
- 许多处理器 IO 不具备失效防护功能。建议在处理器电源斜升之前不要施加任何外部输入。
- 处理器 LVCMOS IO 指定了压摆率要求（LVCMOS 输入压摆率 <1000ns），建议不要施加慢速斜升输入或在输入端直接连接电容器。
- 不建议在输出端连接一个 > 22pF 的电容器负载。DNI 电容器或（根据用例）执行仿真。
- 在复位期间和复位后，处理器 IO 缓冲器（TX（输出）和 RX（输入）以及内部拉电阻（上拉和下拉））均关闭。建议在由处理器 IO 驱动且可能处于悬空状态的附加器件附近设置一个拉电阻，以防止附加器件输入在主机驱动前悬空。
- 对于连接了布线但未被主动驱动的任何处理器 IO（焊盘），建议使用并联拉电阻 (47kΩ)。当添加并联拉电阻不可行时，建议使布线远离噪声信号。
- 建议验证处理器 IO 与附加器件之间的 IO 电平兼容性和失效防护操作。