ZHCAEV4C November 2024 – September 2025 AM62A1-Q1 , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62D-Q1
LVCMOS (SDIO) 输入指定了压摆率要求(作为电气规格的一部分)。不建议将慢速斜升输入(信号)直接连接到 LVCMOS (SDIO) 输入。如果施加的输入(信号)在 VIHSS 和 VILSS 之间的电压区域停留更长时间,那么输入缓冲器可能存在长期可靠性问题(隐患)。允许(建议)的转换时间小于 1000ns。压摆率与频率相关。当信号切换速率不高(非频率相关限值)时,建议的最大压摆率为 1000ns。如果 IO 在 1.8V(举例说明)电压下工作,当信号切换速率 < 100kHz 时,1.8E+6V/s 的非频率相关限值将变为较大的值。当信号切换速率 > 100kHz 时,18fV/s(f = 输入信号的切换频率,以 Hz 为单位)的频率相关限值将变为较大的值。当施加慢速斜升输入时(当输入为 1/2 Vs 时),击穿电流可从 VDD 通过部分导通的 P 沟道晶体管和部分导通的 N 沟道晶体管流向 VSS。长期暴露于慢速斜升输入会导致 IO 性能、电路板性能或处理器可靠性问题。
不建议在 LVCMOS (SDIO) 输出端直接连接大型电容器。LVCMOS (SDIO) 输出缓冲器不适用于驱动大型电容负载。当 LVCMOS (SDIO) 类型 IO 配置为输出并在输出端连接电容器时,建议根据处理器特定数据表的建议选择允许的电容值或添加串联电阻器,以限制 IO 电流消耗。建议执行仿真以最终确定电容值。